[参考译文] LM5175：降压/升压模式之间的直流充电器稳定性

您好 VT、

在升压模式下、您需要确保远低于 RHPZ 频率。 计算器会在补偿区域中提供该值。 通常、您应将穿越频率设置为最低 VIN 最大值、以使 RHPZ 为1/5。

斜率电容器对于模式间转换期间的稳定性至关重要。 请使这个尽可能小。

一般而言、我必须提到降压/升压模式下的电流能力低于降压模式下的电流能力。 LM5176在降压/升压模式下的电流能力更高。

此致、
Brigitte

感谢 Brigitte 的回复。 这是一个非常有用的答案。

我对 AGND 和 PGND 还有另一个问题。 从技术上讲、我们应隔离这2个 GND、并仅在一个点(靠近 VCC)连接它们
电容器 PGND 连接、根据 LM5175规格的建议)。 但是、当我检查 LM5175 EVM 时、这2个接地端都在同一平面上连接在一起。

对此有什么解释吗？在设计布局时、我应该选择哪一个选项。  

我们已经有一个使用 LM5175 IC 的产品、并且我已经在同一平面上连接了这2个 GND。 这一点似乎没有问题。   如果我们这样做，是否有任何不利之处？ 或者 、隔离 AGND 和 PGND 并仅在一个点上连接它们有哪些好处？

谢谢、

VT

您好 VT、

在所有3个 EVM 上、AGND 和 PGND 是分离的、仅通过 IC 的电源板进行连接、因此这是您可以使用的最佳连接。 如果您为两个 GND 使用平面、则 AGND 将具有更大的噪声、并且噪声会影响调节。

此致、
Brigitte

您好、Brigitte、

感谢您的快速响应。

是的、我再次查看了 EVM 布局、它是分离的。 很难判断您何时只查看 EVM 原理图、因为它并不能真正告诉我们它们是分离的。

说到 EVM  布局、我发现它是6层电路板。 有2个仅连接到 GND 的内部层(中间层1和4)。 使用6层电路板是否有任何原因？例如提高 EMI？

我们已经有一个基于 LM5175EVM-HP 布局的设计。 我们 应用 了与 EVM 板相同的组件方向。 但是、我们确实将这些层组合在一起、以实现4层 PCB 而不是6层。 那么、我的问题是：它是否会对 EMI 产生任何影响？ 或任何不利方面？  

我浏览了有关使用 LM5175的四开关降压/升压的布局技巧的所有文章 (e2e.ti.com/.../four-switch-buck-boost-layout-tip-no-4-routing-gate-drive-and-return-paths) 、并严格遵循 有关栅极驱动信号及其 返回路径的这些技巧。  对于使用 LM5175的大功率设计布局、是否有任何建议可供选择以提高 EMI？