This thread has been locked.

If you have a related question, please click the "Ask a related question" button in the top right corner. The newly created question will be automatically linked to this question.

[参考译文] BQ33100EVM-001:需要 EVM 配置指导

Guru**** 2540620 points
Other Parts Discussed in Thread: BQ33100, BQ33100EVM-001, EV2400, BQSTUDIO

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/991953/bq33100evm-001-evm-configuration-guidance-sought

器件型号:BQ33100EVM-001
主题中讨论的其他器件:BQ33100EV2400BQSTUDIO

您好!

我使用的是 BQ33100EVM-001和 EV2400。 我刚刚将 BQ33100固件刷写到最新版本。 器件显示为 bq33100 R0、固件版本 V0_15_BLD0017

我将5个100F、2.7V、15m Ω 超级电容器连接到 EVM。

我的 EVM 连接到14V PSU。

该板正在运行、但我希望对一些设置进行澄清。

我已执行电容器电压校准、电压增加2.1V (2100mV、4200mV、6300mV、8400mV 和10500mV)。

  1. 在系统电压校准上、测得的系统电压显示为13991mV、但实际系统电压显示为2000mV。 我似乎不能更改它、这样它就被保存了。 它始终恢复到2000mV。
  2. 在 SBS 中、电容报告为2.0F 和 ESR 400m Ω。
  3. 在 Dataflash>System Data 中,设计电容、Init 第一电容和电容均为2.0F。 如何更改这些值以反映使用的电容? 这三项有何区别?
  4. 在 Dataflash>System Data 中,设计 ESR、初始 ESR 和 ESR 均为400m Ω。 如何更改这些值以反映所用电容器的 ESR?  这三项有何区别?
  5. 在 Dataflash>System Data 中,设计电压为9000mV。 该值指的是什么?
  6. 在安全状态下的 SVS 中、我看到 OV 标志被置位。 为什么?

谢谢。

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好 Howard、

    校准后是否仍会发生这种情况? 您能否共享 bqStudio 仪表板的屏幕截图?

    您需要让监测计通过在电容器上执行学习周期来学习 ESR。

    您能否与配置共享.gg 文件?

    此致、

    Wyatt Keller

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Wyatt、

    我仍然有同样的问题,尽管我可能会感到很多困惑。

    当前,“操作”状态显示 为-

    我认为电容学习正在进行中、首先是在 Pro 部分中发出24 (十六进制)命令、然后发出25 (十六进制)命令。 但是、这种情况已超过1小时。 我注意到各个电容器的电压正在下降、但电量监测计仍显示100%。

    我的设置仍然相同。 EVM 的14V 电源。 EVM 上连接了五个100F、2.7V 电容器。 我已经完成了电容器电压校准。

    我还附上了数据闪存导出文件、希望您能发现问题并向我指出正确的方向、以使其正常运行。

    我曾希望将电路板设置为总堆叠电压为12.5V、从而将每个电容器限制为2.5V。 如果您能为我提供一个基本的分步指南、让我了解我应该更改哪些值以及我需要发出哪些命令来执行此操作、我将不胜感激?

    e2e.ti.com/.../export.txt

    谢谢

    霍华德

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好 Howard、

    您能否分享"校准"部分的屏幕截图?

    设计电压、设计电容和设计 ESR 值是使用的电容器的设计值、您必须将这些值更改为实际值。 初始值是第一个学习值。 更多信息、请参阅数据表。

    对于学习、您还需要将负载连接到 CAPOUT 和 VSS、有关学习过程、请参阅数据表8.3.1部分。

    应用报告 SLUA751可能很有用。

    此致、
    亚伯拉罕

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Abraham、

    您能否确切地告诉我要更改哪些值以及哪些值? 我将以圆圈的方式阅读数据表和所有相关文档、但没有取得任何进展。 昨天、它一直处于学习模式几个小时、然后评估板上的许多组件开始变得异常热。

    我的五个电容器(每个)为100F、2.7V 和15m Ω、我想将每个电容器上的电压限制为2.5V。 我希望能够平衡电容器上的电压。

    我假设校准部分您想要数据闪存下的校准选项卡? 我之前发布的数据中是否没有该信息?

    霍华德

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好 Howard、

    将电芯数设置为5、DF:配置:寄存器:操作 Cfg:CC2、CC1、cC0 = 100、STACL=0

    将 DF:Charge Control:Charge Cfg:Chg Voltage、DF:System Data:Design Voltage 和 DF:Monitoring:Charging Voltage:V Chg 标称值设置为2.1V (使用超级电容器制造商推荐的值来实现寿命)×5.

    将 DF:Monitoring:Charging Voltage:V Chg Max 和 DF:Monitoring:Charging Voltage:V Learn Max 设置为2.5V x 5。  将 DF:Monitoring:Charging Voltage:V Chg A 和 DF:Monitoring:Charging Voltage:V Chg B 设置为 V Chg 标称值和 V Chg Max 之间的等量值。  

    设置 DF:系统数据:数据:设计电容= 20 F
    DF:系统数据:数据:初始初始电容= 20 F
    DF:系统数据:数据:电容= 20 F

     mΩ DF:System Data:Data:Design ESR = 75 μ F
    mΩ:系统数据:数据:初始 ESR = 75 μ F
    mΩ:系统数据:数据:ESR = 75 μ F

    在"校准"部分中、我的意思是这样的

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Abraham、

    谢谢、我稍后会尝试。

    奇怪的是,我先把板打开,然后转到 Cell Balance,从而得到以下窗口:

    这是我第一次遇到过 OV 标志。

    这是"Calibrate (校准)"窗口-

    我稍后将在执行您的步骤时发布。

    霍华德

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好 Howard、

    [引用 userid="483167" URL"~/support/power-management/f/power-management-forum/991953/bq33100evm-001-evm-configuration-guidance-sought ]在系统电压校准中、测得的系统电压显示为13991mV、但实际系统电压显示为2000mV。 我似乎不能更改它、这样它就被保存了。 它始终恢复为2000mV。[/QUERP]

    对于此问题、选中 System Voltage Calibration (系统电压校准)前面的框、然后将实际系统电压更改为测得的系统电压、然后校准器件。

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Abraham、

    我似乎正在取得进展,感谢你的帮助。

    SBS 屏幕现在显示了正确的 ESR 和电容-

     

    为什么 CAP1 K 系数与其他因素不同步-

    它在尝试进行电容器学习时遇到了问题、因为它通常会导致 LCKO。 我是否正确地增加最大 Chg 时间以增加超时?

    是否有方法可以读取 CHGLVL1和 CHGLVL0引脚的状态?

    谢谢

    霍华德

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好 Howard、

    电容 K 系数是 ADC 电压转换系数、默认情况下不使用。

    是的、您可以增加最大 Chg 时间。

    CHGLVL1和 CHGLVL0是输出引脚、如果监测计处于离散充电模式、您可以读取 ChargingVoltage()并使用下表确定引脚的状态。

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Abraham、

    我在中看到、充电控制(8.3.3)参考是针对分立式和智能控制。 如何知道我是使用分立式控制还是智能控制?

    8.3.1.1似乎表示 BQ33100可以在步骤6更改充电电压? 这是智能控制吗?

    如果我使用命令32-35更改充电电压、这种分立式控制是不是?

    我能否将 BQ33100配置为仅管理充电和电池平衡而不进行任何学习? (我会预加载电容和 ESR 值)

    您能否提供有关如何读取 DF 以获取系统数据:设计电容的说明?

    我需要发送哪些命令才能将学习频率设置为10分钟-我知道从8.3.1.2开始发送值250、但如何操作?

    感谢您的持续支持

    霍华德

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好 Howard、

    您可以在数据闪存中更改学习频率:监控:学习配置:学习频率在软件中更改值、然后单击 Write All (全部写入)。  

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Abraham、

    我对分立式和智能控制的问题如何?

    如何从微控制器更改 DataFlash? 命令序列是什么?

    霍华德