[参考译文] BQ33100EVM-001：需要 EVM 配置指导

您好 Howard、

校准后是否仍会发生这种情况？ 您能否共享 bqStudio 仪表板的屏幕截图？

您需要让监测计通过在电容器上执行学习周期来学习 ESR。

您能否与配置共享.gg 文件？

此致、

Wyatt Keller

您好、Wyatt、

我仍然有同样的问题，尽管我可能会感到很多困惑。

当前，“操作”状态显示 为-

我认为电容学习正在进行中、首先是在 Pro 部分中发出24 (十六进制)命令、然后发出25 (十六进制)命令。 但是、这种情况已超过1小时。 我注意到各个电容器的电压正在下降、但电量监测计仍显示100%。

我的设置仍然相同。 EVM 的14V 电源。 EVM 上连接了五个100F、2.7V 电容器。 我已经完成了电容器电压校准。

我还附上了数据闪存导出文件、希望您能发现问题并向我指出正确的方向、以使其正常运行。

我曾希望将电路板设置为总堆叠电压为12.5V、从而将每个电容器限制为2.5V。 如果您能为我提供一个基本的分步指南、让我了解我应该更改哪些值以及我需要发出哪些命令来执行此操作、我将不胜感激？

e2e.ti.com/.../export.txt

谢谢

霍华德

您好 Howard、

您能否分享"校准"部分的屏幕截图？

设计电压、设计电容和设计 ESR 值是使用的电容器的设计值、您必须将这些值更改为实际值。 初始值是第一个学习值。 更多信息、请参阅数据表。

对于学习、您还需要将负载连接到 CAPOUT 和 VSS、有关学习过程、请参阅数据表8.3.1部分。

应用报告 SLUA751可能很有用。

此致、
亚伯拉罕

您好、Abraham、

您能否确切地告诉我要更改哪些值以及哪些值？ 我将以圆圈的方式阅读数据表和所有相关文档、但没有取得任何进展。 昨天、它一直处于学习模式几个小时、然后评估板上的许多组件开始变得异常热。

我的五个电容器(每个)为100F、2.7V 和15m Ω、我想将每个电容器上的电压限制为2.5V。 我希望能够平衡电容器上的电压。

我假设校准部分您想要数据闪存下的校准选项卡？ 我之前发布的数据中是否没有该信息？

霍华德

您好 Howard、

将电芯数设置为5、DF：配置：寄存器：操作 Cfg：CC2、CC1、cC0 = 100、STACL=0

将 DF：Charge Control：Charge Cfg：Chg Voltage、DF：System Data：Design Voltage 和 DF：Monitoring：Charging Voltage：V Chg 标称值设置为2.1V (使用超级电容器制造商推荐的值来实现寿命)×5.

将 DF：Monitoring：Charging Voltage：V Chg Max 和 DF：Monitoring：Charging Voltage：V Learn Max 设置为2.5V x 5。  将 DF：Monitoring：Charging Voltage：V Chg A 和 DF：Monitoring：Charging Voltage：V Chg B 设置为 V Chg 标称值和 V Chg Max 之间的等量值。  

设置 DF：系统数据：数据：设计电容= 20 F
DF：系统数据：数据：初始初始电容= 20 F
DF：系统数据：数据：电容= 20 F

 mΩ DF：System Data：Data：Design ESR = 75 μ F
mΩ：系统数据：数据：初始 ESR = 75 μ F
mΩ：系统数据：数据：ESR = 75 μ F

在"校准"部分中、我的意思是这样的

您好、Abraham、

谢谢、我稍后会尝试。

奇怪的是，我先把板打开，然后转到 Cell Balance，从而得到以下窗口：

这是我第一次遇到过 OV 标志。

这是"Calibrate (校准)"窗口-

我稍后将在执行您的步骤时发布。

霍华德

您好 Howard、

[引用 userid="483167" URL"~/support/power-management/f/power-management-forum/991953/bq33100evm-001-evm-configuration-guidance-sought ]在系统电压校准中、测得的系统电压显示为13991mV、但实际系统电压显示为2000mV。 我似乎不能更改它、这样它就被保存了。 它始终恢复为2000mV。[/QUERP]

对于此问题、选中 System Voltage Calibration (系统电压校准)前面的框、然后将实际系统电压更改为测得的系统电压、然后校准器件。

您好、Abraham、

我似乎正在取得进展，感谢你的帮助。

SBS 屏幕现在显示了正确的 ESR 和电容-

 

为什么 CAP1 K 系数与其他因素不同步-

它在尝试进行电容器学习时遇到了问题、因为它通常会导致 LCKO。 我是否正确地增加最大 Chg 时间以增加超时？

是否有方法可以读取 CHGLVL1和 CHGLVL0引脚的状态？

谢谢

霍华德

您好、Abraham、

我在中看到、充电控制(8.3.3)参考是针对分立式和智能控制。 如何知道我是使用分立式控制还是智能控制？

8.3.1.1似乎表示 BQ33100可以在步骤6更改充电电压？ 这是智能控制吗？

如果我使用命令32-35更改充电电压、这种分立式控制是不是？

我能否将 BQ33100配置为仅管理充电和电池平衡而不进行任何学习？ (我会预加载电容和 ESR 值)

您能否提供有关如何读取 DF 以获取系统数据：设计电容的说明？

我需要发送哪些命令才能将学习频率设置为10分钟-我知道从8.3.1.2开始发送值250、但如何操作？

感谢您的持续支持

霍华德

您好 Howard、

您可以在数据闪存中更改学习频率：监控：学习配置：学习频率在软件中更改值、然后单击 Write All (全部写入)。