您好、Sirs、
我们测试了 Bay 试用平台不稳定(系统挂起)、并发现高侧栅极(HG)和开关节点(SW)上存在大过冲。
如果我们增加 R359 = 10欧姆以减少过冲、则表示系统已连接。
我的问题是
HG 和 SW 中的过冲来自哪里?
2. 过冲是否会导致 Vcore 电压不稳定或 EMI 影响?
3.我可以采取其他任何方法来减少过冲? 当 R359 = 10R 时、电阻器是否过大?
谢谢你
Amos。
这是原理图设计和波形。
(CH1: +VCORE;CH2:VCORE_VSW;CH3: VCORE_CDH1_BG;CH4: VCORE_CDL1_BG)
R359=3.3R

R359=10R

原理图设计
