[参考译文] BQ35100EVM-795：如何写入数据闪存

你好、缓存器、

您可以按照本应用手册中的说明操作、其中介绍了写入 bq35100数据闪存所需的步骤： https://www.ti.com/lit/pdf/slua790

此致、

Wyatt Keller

您好、Wyatt、

我已经能够解析对2个字节编号的闪存的编程写入。 我看到我必须使用16位值中的每个字节来计算校验和。

我仍然无法使用 EVM 执行此操作。

您能确认我的最后一点吗... 也就是说、我应该能够使用默认的化学 ID 获得可靠的读数、并将容量更改为17000？

我将需要更改电路板、并在下一次硬件旋转时暴露进入 BQ35100的 I2C 线路 、以便能够在生产中使用 EV2400。

你好、缓存器、

使用高级通信进行写入和读取时、在 bqStudio 中关闭扫描和自动刷新。

为了将设计容量更改为17000 mAh、您的推荐值应为：
将 FE 41写入3e；
写入42 68至40；
写入16至60；(FE + 41 + 42 + 68、反转最后一个字节)
写入 06至61；

此致、

亚伯拉罕

谢谢亚伯拉罕、

我意识到您必须添加该值的每个字节。 以编程方式工作。

我尝试关闭扫描和自动刷新、但仍然无法使用 bqstudio 进行更新

嗨、各位、

 您用于以编程方式更新监测计的代码是什么？

您好、Abraham、

代码执行写入的方式与描述的方式相同。 我遇到的唯一问题是我计算了错误的校验和值。 当我意识到计算中必须使用每个字节而不是整个16位数时、我修复了这个问题。

问题是我无法使用 bqstudio 执行此操作。 我已经尝试过您的建议并关闭了扫描和自动刷新功能、但这些值从未更新。 我可以通过 GUI 手动更改该值

您好、Abraham、

抱歉。 我未正确关闭自动恢复。 我认为切换按钮位于"Registers"选项卡上、而不是仪表板上。

一切都在进行中。