[FAQ] [参考译文] [常见问题解答]：理想二极管控制器是否可用作具有外部 MOSFET 的负载开关？

背景：
理想二极管控制器可驱动单个 N 通道 MOSFET 来模拟理想二极管。 当 MOSFET 关断时，由于 MOSFET 体二极管的正向传导，电源路径不会在正向路径中受阻。 自然产生的一个问题是、MOSFET 方向是否可以更改为高侧开关或负载开关、如图1所示、其中 MOSFET 关闭时电源路径会切断。

图1：理想二极管控制器不适用于负载开关或高侧开关

驱动作为高侧开关或负载开关连接的 MOSFET 的能力基于理想二极管控制器或 ORing 控制器的栅极驱动拓扑。 LM74700-Q1、LM5050-1和 LM5050-2等控制器用于反向电池保护应用以及 ORing 应用。 ‘控制器的栅极驱动是相似的，通过将栅极与源极(IN 引脚或 A’引脚或阳极)短接来关闭 MOSFET，如图 2所示，该图将 VGS 设置为0V。 MOSFET Q2无法关闭、因为源极和漏极交换、VGD = 0V 且 VGS 不是0V。 因此 Q2保持导通、充当电压跟随器、VOUT =(VBAT-0.7VGS (TH))。

图2：LM5050 功能方框图

解决方案：
理想二极管控制器 LM74700-Q1、LM5050-1和 LM5050-2不能用于驱动负载开关应用中的 MOSFET。 对于低电流负载应用、建议使用 集成 FET 负载开关 或 高侧开关。
对于更高的电流要求、建议在 高侧开关应用中将 LM5060-Q1用于负载开关或其他热插拔控制器。