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理想二极管控制器或 ORing 控制器的栅极电压较低、MOSFET 未完全增强。
相关产品:LM74700-Q1、LM7480-Q1、LM7481-Q1、LM5050-1、LM5050-2、 LM5051、TPS2410和 TPS2412
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理想二极管控制器或 ORing 控制器的栅极电压较低、MOSFET 未完全增强。
相关产品:LM74700-Q1、LM7480-Q1、LM7481-Q1、LM5050-1、LM5050-2、 LM5051、TPS2410和 TPS2412
背景:
理想二极管控制器和 ORing 控制器以三种不同的运行模式控制外部 N 沟道 MOSFET、如图1所示。
图1:理想二极管控制器 LM74700-Q1的栅极驱动模式
在正常运行期间、控制器以稳压导通模式或全导通模式运行。 在稳压导通模型中、线性稳压方案在 MOSFET 漏源极上保持非常低的正向电压。 LM74700-Q1将 MOSFET 两端的正向压降调节为20mV (典型值)。 LM5050-x 和 LM5051稳压正向压降为22mV (典型值)、TPS2410/12稳压至10mV 正向压降。 请注意、在更高的负载电流下、控制器会进入完全导通模式、并且 MOSFET 已完全增强。
答案:
在线性调节控制中、通过根据负载电流控制栅极电压来调节 MOSFET 的正向电压。 为了更加精确、为了调节正向电压、控制器的栅极驱动通过控制 MOSFET 的 VGS 来改变 MOSFET 的 RDS (ON)。
线性稳压方案:
让我们以 LM74700-Q1为例来说明线性稳压方案。 LM74700-Q1的稳压正向电压为20mV,完全导通阈值为50mV,反向关断阈值为-11mV。
正向传输特性、即 MOSFET DM6007LFG 的 VGS 与 RDS (ON)如图2所示。 当标称电流为3A 时、为了将源漏电压调节至20mV、控制器需要保持 RDS (ON)= 20mV/3A = 6.67mΩ Ω。 根据正向传输特性、RDS (ON) 6.67mΩ 对应于 VGS 4V、因此控制器将 VGS 调节为4A (3A)、如图3所示。
接下来、在负载电流为1A 时、控制器需要保持 RDS (ON)= 20mV/1A = 20mΩ Ω。 RDS (ON) 20mΩ 对应于 VGS 3V、因此控制器将 VGS 调节为1A 时的3V、如图4所示。
最后、在高负载电流5A 时、控制器需要保持 RDS (ON)= 20mV/5A = 4mΩ Ω。 RDS (ON) 4mΩ 对应于 VGS >10V、因此控制器通过 VGS 将 MOSFET 完全增强至11V、如图5所示。
图2:MOSFET DMT6007LFG 数据表的正向传输特性
图3:LM74700-Q1在负载电流为3A 时驱动 DM6007LFG
图4:LM74700-Q1以1A 负载电流驱动 DM6007LFG
图5:LM74700-Q1在5A 负载电流下驱动 DM6007LFG