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[参考译文] UCC27424-EP:静态损耗和击穿损耗

Guru**** 2582405 points
Other Parts Discussed in Thread: UCC27424-EP

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/994150/ucc27424-ep-quiescent-losses-and-shoot-through-losses

器件型号:UCC27424-EP

为客户发布:

对于 UCC27424-EP、 我尝试计算栅极驱动器中的静态损耗、并且需要在施加的 VDD 为12V 时对其进行缩放、而在数据表中给出的情况下、最大 VDD 为15V。  您能否确认如何计算此值?

此外 、对于 UCC27424-EP、我还在寻找 甚至未在数据表中提及的击穿损耗信息、 我"假设"、因为 它们可能微不足道  、因为有关击穿损耗的数据表中提到的唯一一点是它们在驱动器设计中被固有抑制。 为此、我可能只需要确认。

这适用于使用 行 波管放大器或 TWT 的军用级雷达应用的3kW 电源设计。  我们正在考虑在设计中使用相关器  件、因为该器件内置散热焊盘、可承受-55C 至+125C 的极端温度、从而将器件的热阻抗降低至约4.7摄氏度/瓦。

谢谢。

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

     您好!

    感谢您的联系。

    静态损耗根据静态 IDD 电流和静态电压 VDD 的乘积进行计算(EC 表中的 d/s 给出了总的 IDD)。

    我不确定我是否理解您的第二个问题、因为击穿事件通常是由 VDD 和/或 OUTx 引脚上的外部浪涌引起的、这会损坏 IC、因此我不知道确定"击穿损耗"的具体方法。 此设计结合使用 BJT 和 MOS FET、以确保 OUTx 引脚具有足够的峰值电流、从而消除驱动器 IC 内击穿的风险。

    此致、

    -Mamadou

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    客户跟进:  

    我已经知道数据在哪里列出。 问题在于、它仅针对最大栅极电压列出。 我所寻求的是 A
    将数据缩放到较低的工作 VDD 点(例如12V)的方法。 常识是通过乘以来对其进行缩放
    VDD = 15V 时的静态电流乘以(12/15)因数、但我想知道它是否这么简单。

    至于对击穿电流或直通电流问题的回答、我的评论是、交叉传导
    栅极驱动器的损耗通常以平均击穿电流测量值与的形式显示
    栅极驱动电压。 击穿电流通常以纳安/秒表示、并绘制在垂直轴上
    以及水平轴上的栅极电压。 曲线不是线性的、但最好描述为凸起增加
    栅极驱动电压。 这意味着可以通过降低该图的交叉点处的栅极电压来优化损耗
    称为驱动器的交叉常量或 CC。 然后、通过将所谓的相乘来计算功率损耗(由于击穿)
    CC 常数(通常以纳安秒为单位)乘以开关频率(fs)、得出平均电流)、最后乘以
    栅极电压、以获得必须在栅极驱动器中耗散的功率损耗(IG*VG)、例如 PC = CC*FS*Vdd。

    问题是、您的特定数据表中未提供此类图。 不清楚是不包含在其中、以避免突出显示高损耗、还是不重要。 我不能仅仅假定它是这样的、因此要彻底、如果没有提供曲线、我至少必须提出这个问题。

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    第一个问题、

    上面的静态损耗方法应该是正常近似值。

    对于有关击穿电流损耗的第二个问题、这不是我们的任何驱动器指定的参数、因为通常针对这些 IC 的系统是高功率应用、例如电力输送、电机驱动、 与栅极驱动部分的实际开关损耗相比、nA 电流通常不相关(PSW = VDD * Qg * FSW 的主要变化)。  

    如果您跟进问题、我们可能会通过电子邮件跟进。

    -Mamadou