主题中讨论的其他器件: UCC28742
大家好、团队成员
我正在为客户寻求85~230AC 至24V/75W 的解决方案。 UCC28740和 UCC28742都是我的候选对象。
- 我的第一个问题是哪一部分对于高功率级反激式更具可征税性?为什么?
我注意到这两个器件之间的主要差异是封装和 HV 启动引脚。
- 您能否详细解释一下 HV 启动引脚比较器与 UCC28740等传统启动电阻器类型的优势?
- UCC28740具有更低的空载功耗。 我想知道是什么导致了这种差异?
提前感谢。
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大家好、团队成员
我正在为客户寻求85~230AC 至24V/75W 的解决方案。 UCC28740和 UCC28742都是我的候选对象。
我注意到这两个器件之间的主要差异是封装和 HV 启动引脚。
提前感谢。
您好 Gabriel、
感谢您关注 UCC28740和 UCC28742反激式控制器。
这两款器件同样适用于24V、75W 应用。 在这方面,一个国家的业绩没有比另一个国家的优势。
如前所述、UCC28740具有更大的封装和高压启动引脚(HV)、而 UCC28742采用更小的封装、无需 HV 启动。 UCC28740包含一个高压 JFET、可提供大约250uA 的电流来 相对较快地为 VDD 电容充电、并在启动后关闭以节省空载待机功耗 。 这种额外的 JFET 会增大控制器的尺寸、因此 需要更大的 SOIC-8封装。
另一方面、UCC28742没有启动 FET、因此依靠从大容量电压中获取的外部电阻器串为 VDD 电容充电。 这降低了成本并支持更小的 SOT-23封装、但需要在启动电阻器中权衡启动速度与附加待机功耗。 它们的值由最低输入电压下给定 VDD 电容的最长容许启动时间决定。 一旦该值固定、即使 空载、高压线路的功率耗散也始终存在、因此 UCC28742的待机功耗会更高。
此致、
Ulrich
你(们)好,Ulrich
感谢您的评论。
由于客户只需要小于0.1W 的负载功耗、UCC28742似乎也可以满足其要求。
我想 UCC28742会是更具成本效益的选择吗?
有关 UCC28742的更多问题:
您好 Gabriel、
是的、UCC28742应能够满足0.1W 空载待机限制、并且更具成本效益。
如果 MOSFET 发生故障、无法切换、则不会对 VDD 或 CVDD 造成危险。 启动时、IC 偏置电流约为1.5uA、而 启动电阻器可能提供15uA 或更高的电流来为 CVDD 充电。 当 VDD 电压达到~21V 时 、IC 将打开并尝试驱动 MOSFET 进入开关状态。 IC 偏置电流上升至大约2mA、该电平远高于通过 VDD 充电电阻提供的几 uA 电流。 如果没有开关、VDD 将灌入~8V UVLO 阈值、而偏置电流将再次降至1.5uA。 然后、启动电阻器会将 VDD 充电回 ~21V、只要 MOSFET 无法切换、该周期就会无限重复。 VDD 网络上不会出现过压应力。
在 上面的"PDI"公式中、Rx 是 X 电容器上的"泄放电阻、这是在1或2秒内对电容器上的任何电压进行放电所需的(取决于 所使用的安全标准)。 根据 需要多大的电容来选择 X-CAP 值、以帮助降低差模传导 EMI 噪声。 一旦该值已知、就会根据 所需的 RC 时间常数选择 Rx 值来满足 X 电容器放电时间。 因此、Rx = TAU/CX、其中 Tau =放电时间常数、Cx =所有 X 电容器的总值。
注意:X-CAP 值越高、EMI 性能越好、但在允许的时间限制内对其进行放电所需的 Rx 值越低。 Rx 值越低、高压线(230VAC)下的待机功耗就越高、因此 Cx 应 尽可能低、以执行该任务。
总待机功耗=(UCC28742转换器的空载输入功率+ Rx 的耗散)必须 小于0.1W。
此致、
Ulrich
您好 Gabriel、
泄放电阻与 X-CAP 并联。 其目的是在交流线路电压被移除后"释放" X 电容器的电荷、例如拔下电源线、这样 就不会在电源线插头的插脚上出现高电压、从而避免让可能触摸它们的人感到震惊。 通常、该"泄放电阻"不是单个电阻器(尽管可以是单个电阻器)、而是通常由2、3、4或更多更小的串联电阻器组成、以便在 每个电阻器上分散最高的电压应力。 表面贴装组件具有必须遵守的"限流元件电压"额定值。 一个额定电压为400Vdc 的单个电阻器将非常大、因此通常将其分为几个较小的串联组件。 该串联电阻器串放置在 X 电容器上、并始终耗散功率。 最高功率为高压线路、是待机功耗的一部分。
待机功耗不受任何一个因素的影响。 X-CAP 泄放器占很大一部分、VDD 充电电阻(有时称为涓流充电)占很大一部分(类似于 泄放器)、初级 IC 偏置电源占很大一部分、次级侧分流稳压器占很大一部分。 这些部分的权力不一定相等,但都是重要的贡献者。 这些参数很容易量化、因为它们主要是 V^2/R 和 VXI 计算的总和。
影响较小的因素包括大容量电容泄漏电流、初级 MOSFET 泄漏、输出电容泄漏、空载稳定性所需的任何最小输出预载、以及仅为了保持稳压器活动并在空载时进行调节而通过开关电源转换(低频)产生的待机开关损耗。 由于泄漏电流和空载频率无法预先确定、因此确定这些参数并不容易、但必须在构建和测试原型后进行测量或估算。
此致、
Ulrich