[参考译文] UCC21710：估算 MOSFET 裸片温度

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请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

器件型号：UCC21710

我想根据数据表中测量的 VDS_ON 和假设的 RDS_ON 值来估算 MOSFET 裸片温度。是否有一种简单的方法从我在 UCC21710QDWQ1的 OC 引脚上开发的保护信号导出 VDS_ON (根据数据表原理图)、然后将其发送到 AIN 引脚以穿过隔离栅？如果可能、您是否认为它是实用的？

谢谢。

Ian

0 admin 4 年多前

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Ian、

我理解您的想法。

我看到有一些关于这种实时 TJ 估算的出版物、用于实现某种闭环估算。

它非常紧张、我不会说它已准备好投入生产。我想将来会是这样。

ICAN 除了向您指出其他研究人员的工作方式之外、不会评论这种方法的准确性、但我想如果您在热建模/校准方面没有大量工作、我猜可能会"不太"、因为 FET 制造商无法或不会提供所需的所有数据、当然、您必须在控制器中实现这一切。

从可行性的角度来看、即使使用 AIN、您也可以从技术上满足您的要求、但我认为它仍然不可行、也不实用。

*在正常用例中、您已经设置了最高环境温度或外壳温度、整个设计都是围绕将 FET / IC 保持在其 TJ 额定值以下而设计的。因此、温度过高的原因如下所示。

*短路事件会导致过热-> OC 对此提供保护

*您可能会因另一个故障系统而过热、或者该系统可能正在火山中使用。在这种情况下、我建议使用 NTC 二极管/热敏电阻来准确检测过热情况。

我建议使用热敏电阻、甚至使用内置热敏二极管或热敏电阻的 FET 模块、该模块稳健且准确。

如果这回答了您的问题、请按下绿色按钮让我知道。如果您有任何疑问、请告诉我。

最好

Dimitri

电源管理（参考译文帖）(Read Only)