[参考译文] LM7480-Q1：浪涌限制电容器的放置

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请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

器件型号：LM7480-Q1

LM7480-Q1数据表上的图9.3显示了从 HGATE 到接地的浪涌限制(栅极压摆限制)电容器 Cdvdt。我担心这会导致 FET 在出现可导通输入瞬态时关闭、如以下示例所示：

系统的过压阈值配置为45V

系统在 Vin = 10V 时运行了一段时间、因此标称 HGATE 和 Cdvdt 大约为20V。

我们的输入电压快速达到30V (应允许其通过)

HGATE 开始提供55uA 的电流、但 Cdvdt 仍为20V、因此需要一段时间才能上升到40V、因此导通 FET 在此期间关闭。

我是否正确地查看了这一点？

谢谢你

0 admin 4 年多前

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您好、Brett、

感谢您与我们联系。

我理解您的问题。该器件的 HGATE 在内部推导出引脚电压、如下面的方框图所示。如果 VIN 突然升高、FET 将处于饱和区域(VGS > VT 和 VDS > VGS "VT)。 HGATE 电流缓慢地为栅极电容(寄生电容+ Cdvdt)充电、而 VOUT 缓慢地充电至 VIN。

0 admin 4 年多前

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我能否将 Cdvdt 置于 HGATE 和 OUT 之间而不是 HGATE 和 GND 之间？

0 admin 4 年多前

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您好、Brett、

为了通过 dVdT 启动来实现浪涌电流控制、建议仅在 HGATE 至 GND 之间放置 Cdvdt 电容。将 Cdvdt 电容放置在 HGATE 和 OUT 之间时、您将无法实现基于 DVDT 的启动。您可以看到以下结果、

在 HGATE 和 GND 之间连接的 Cdvdt：

在 HGATE 和 OUT 之间连接的 Cdvdt：

0 admin 4 年多前

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好的、谢谢。

0 admin 4 年多前

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哦！我现在就明白了！您不会尝试控制导通 FET 的电阻、而是直接控制输出电压。

如果您假设从 HGATE 到为 Cdvdt 充电的所有55uA 电流、则导通 FET 的栅极电压呈线性上升。源电压(OUT)不会超过栅极(或 FET 将关断)。因此、由于 HGATE 线性上升、OUT 线性上升。

将 Cdvdt 置于 HGATE 和 OUT 之间可打破这种情况。在这种情况下、HGATE (大约)始终高于 OUT 的 Cdvdt。因此、在某些情况下、您会遇到导通 FET 的 VGS 开启、而 HGATE 会随着 OUT 的上升而迅速上升、从而导致"无限"电流流动。

太棒了！

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