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[参考译文] ISO5852S:ISO5852S 是否可用于在高侧配置中切换10kV SiC MOSFET 模块

Guru**** 1831610 points
Other Parts Discussed in Thread: ISO5852S
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/990807/iso5852s-can-iso5852s-be-used-for-switching-a-10-kv-sic-mosfet-module-in-high-side-configuration

器件型号:ISO5852S

您好!

数据表中指出、ISO5852S 的最大额定隔离电压为5.7kV。 但是、一些文献提出了使用此 IC 的10-15 kV MOSFET 模块的定制栅极驱动器设计。 根据我的理解、此类栅极驱动器设计中涉及的技术包含光纤、可为 IC 的 IN+和 IN-引脚之间应用并由函数发生器/FPGA 生成的 PWM 信号提供隔离。 隔离额定值为10-15 kV 的直流/直流转换器用于为栅极干燥器 IC 的偏置电源(VCC1、VCC2、VEE2)提供隔离(直流/直流转换器确保单独接地、GND1、GND2)。 也就是说、当电源电压为10kV 时、当 MOSFET 模块导通时、源极、从而栅极驱动器 IC 输出侧的 OUTH 引脚(与 OUTL 连接)、GND2引脚将经历满总线电压(10kV)。 在 PWM 信号和偏置电源被隔离的情况下、栅极驱动器是否能够承受这个运行条件。   

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    您好、Allison、

    遗憾的是、我们在超出数据表规格的高电压下使用器件的经验不多。

    一个潜在问题(不打算使用 pun)是我们 IC 上引脚之间的间距不足以支持10kV 电压。 也许、如果您使用某种保形涂层来防止引脚对引脚电弧、并使用额外的隔离、则可能会起作用。