[参考译文] BQ35100：无法写入操作配置 A

1.May 我知道是否有任何方法来检查器件是否密封、是否没有 bqStudio。  

2.闪存更新电压阈值是多少？  

3.我知道数据校验和和长度必须作为一个字写入、但我应该将其作为一个字写入0x60地址吗？  因为参考手册指出校验和必须写入地址0x60、而 Mac 数据长度必须写入0x61。

你好，希里尔，

我检查所有条件。  

器件处于完全访问模式。

2.电池电压为3.6V，闪存更新电压阈值为2.4V。

 校验和和长度也正确。

您能告诉我哪里出错、为什么我无法将监测模式更改为 EOS 模式吗？  

Yadunandan、您好！

我建议使用 bqStudio 进行尝试。 如果不能与 bqStudio 配合使用、则发送 gg.csv 文件(数据存储器)进行分析

感谢您推荐 Bqstudio。  

要使用 Bqstudio、它需要 EV23000-EV2400、由于 BQ35100没有我们使用的 LTC (LSH14 Saft)电池 ID、我们怀疑它是否能够正常工作。  此外、我们决定不使用这些接口连接器、这也非常昂贵。

如果您知道任何第三方公司能够以合理的价格销售这些接口板、我们将不胜感激。

如果您有任何逻辑分析仪数据或任何有关在没有 Bqstudio 或任何顺序 I2C 命令指南的情况下更改监测模式的相关文档、请与我们分享、因为这会非常有用。    

您是否尝试将 Datachecksum 和 length 作为一个单词编写？

是的、我确实尝试了、但还是很不幸、我也尝试了在我写入数据闪存时立即读取控制状态寄存器、我获得控制状态寄存器值0xF0、因为第一个位为高电平、这意味着写入数据闪存失败。

我也看不到 GA 位或 initcomp 位在任何时候处于活动状态、因为我在每次写入后读取寄存器、以便我可以注意到是否有任何更改。

如果这是我无法写入数据闪存的原因，那么如何设置 initcomp 位和 ga 位？

校验和可能不正确。请尝试以下操作

我查看了 TRM 并获得了 bq35100的这些值。 请告诉我是否存在任何冲突信息

校验和= 0xB1 + 0x41 + 0x82 = 0x74

MAC 数据长度= 3

你是对的。 长度为5。 它包括校验和和数据字节。 我想我上次回复时没有看到关于控制状态的评论

您可能需要等待 INITCOMP 被置位、然后再执行任何其他操作。 在尝试写入闪存之前、还应尝试发送 gauge _start 命令。 这应将 GA 设置为1

您好、Shirish、

感谢您的帮助、

我们发现、我们修复了 MCU 的内部 I2C 驱动器存在一些问题、现在我也能够配置 EOS 模式和 SOH 模式。