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[参考译文] TPS1H100-Q1：有关 VDS 钳位的问题

admin
Guru**** 2546020 points


请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1162679/tps1h100-q1-questions-about-vds-clamp

器件型号：TPS1H100-Q1

你(们)好

  从数据表中、我们可以看到以下信息：VDS_CLAMP = VBAT-VOUT

我们认为钳位应该在 漏极和源极之间。 但是、它显示它在 漏极 和栅极之间。 出什么问题了吗？ D 和 G 之间的钳位为何会保护 FET？

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    TI__Guru**** 2546020 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Wang、

    钳位在 VGD 之间。 在关断状态下、栅极电压被拉至源极电压。 当漏极电压保持上升时、VGS 钳位将接合、栅极电压将上拉(远离源极)至 VBAT-VCLMAP。 一旦 VGS 超过 Vth、MOSFET 就会导通、以通过 VGD 钳位电压来钳制源极电压。

    此致、

    您好