This thread has been locked.

If you have a related question, please click the "Ask a related question" button in the top right corner. The newly created question will be automatically linked to this question.

[参考译文] LMQ61460-Q1:输入电容

Guru**** 2386740 points
Other Parts Discussed in Thread: LMQ61460-Q1
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/967364/lmq61460-q1-input-capacitance

器件型号:LMQ61460-Q1

LMQ61460-Q1的数据表(第10.2.2.5节)指出、最小输入电容为10uF。  问题:

 用户指南(SNVU698A)显示了2个4.7uF 陶瓷电容器 UMK325B7475MMHT。  该电容器没有电容与电压规格、但类似的电容器显示24V 电容下降30-40%。  在24V 及更高电压下、2x4.7uF 是否能正常工作?  

2. 能否将单个4.7uF 陶瓷电容器与100uF 电解电容器(EEH-ZA1H101P)并联使用?

目前 、LMQ61460AASQRJRRQ1仅可从 TI 购买。  何时在经销商处提供?

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Inderijit:

    由于用户指南显示的 EVM 具有2 x 4.7uF 的输入陶瓷 BOM、因此输入电压最高可达36V。 如果您预计会出现某种类型的负载瞬态、我建议增大输入电容值以减少电压纹波、并在瞬态期间进一步保持输入电压。  

    2.如果只使用一个陶瓷,我建议将其凸起至10uF 陶瓷,然后将其与100uF 电解电容器并联。 此外、我建议添加两个高频旁路电容器;自输入/接地引脚对(VIN1/PGND1和 VIN2/PGND2)起、每个上各一个。  

    3.让我与营销团队回圈,看看是否有可用性的估计时间表。

    此致、

    Jimmy  

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    电 容随陶瓷电容器施加的电压而衰减。  24V 时、通常比额定电容低40%。  在此示例中、4.7uF x 2 x 0.6 = 5.6uF。  容差为10%时、它可能会降至5.1uF。  这不是数据表中要求的10uF 值。

    问题 应该是 :要求10uF 的陶瓷电容(极低的 ESR)吗?  如上所述、在24V 电压下、10uF 陶瓷电容可能会降至5.1uF。

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Inderjit、

    1.是的、我同意陶瓷电容器上会有一些直流偏置影响。 但是、如前所述、由于 EVM 使用这些值、并且数据表中具有使用此 EVM 的效率曲线、2 x 4.7uF 就足够了。 数据表中的10uF 更像是典型值、而不是降额后的典型值。

    2.对于10uF 没有硬性要求。 输入电容越大、输入电压在负载瞬态期间的维持效果就越好。 如果在4.7uF 和10uF 之间选择相同的封装尺寸、我建议使用10uF。 否则、带有大容量电解电容器的4.7uF 陶瓷电容器也就足够了。

    此致、

    Jimmy