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[参考译文] BQ77915：DSG MOSFET 在短路保护期间缓慢关断

admin
Guru**** 2550050 points
Other Parts Discussed in Thread: BQ77915

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/966135/bq77915-dsg-mosfet-is-turning-off-slowly-during-short-circuit-protection

器件型号：BQ77915

您好！

我的10S BMS 具有两个 bq77915器件、除了短路保护外、所有功能都能正常工作。 当 PACK+和 PACK-短接时、DSG MOSFET 烧断。 我认为 DSG MOSFET 的调谐速度不够快。 数据表显示、应调整 R_DSG 电阻器以设置所需的上升和下降时间。 我的小经验告诉我减小 R_GS_DSG 电阻器(因为如果该电阻器很小、栅极电容可以快速耗尽、以便 MOSFET 关闭)我对吗？ 这一过程使放电 MOSFET 关断速度更快。

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    TI__Guru**** 2550050 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    Mounish、您好！

    正确、较小的电阻器将更快地关断 FET。  对于 DSG、BQ77915的内部驱动关断电阻较低。  通常、在短路关断时会发生2件事情。

    1.如果电阻器过大、关断速度慢、器件耗散的功率过大、会灼伤。

    2.如果电阻器过小、关断速度过快、电池和互连的电感响应会产生较大的电压尖峰、并可能使 FET 进入雪崩模式。  如果 FET 无法获取能量、它会灼伤。

    所需的电阻器取决于 FET 和系统电感。  通常、对于单个 FET 而言、5-10k 可能是一个良好的起点、对于多个 FET、1-5k 可能是一个更好的起点范围。 但它实际上取决于 FET。  使用较低的电流(较高的短路电阻)启动测试也可能有用。

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    TI__Guru**** 2550050 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好！

    对于单个 MOSFET、我将电阻值减小到1k、但仍然无法解决问题。

    我想知道 C18和 C19在 EVM 原理图中的用途是什么？ 它们是否有助于保护 FET？

    2.我想遵循试错技术、对 R_DSG 使用2k、2.5k、3k、3.5k、4K 的值。 这是可以的吗？ 还是应该使用 RGS_DSG。

    请回答以上两个问题

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    TI__Guru**** 2550050 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好！

    对于单个 MOSFET、我将电阻值减小到1k、但仍然无法解决问题。

    我想知道 C18和 C19在 EVM 原理图中的用途是什么？ 它们是否有助于保护 FET？

    2.我想遵循试错技术、对 R_DSG 使用2k、2.5k、3k、3.5k、4K 的值。 这是可以的吗？ 还是应该使用 RGS_DSG。

    请回答以上两个问题

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    TI__Guru**** 2550050 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    Mounish、您好！

    C18和 C19用于 FET 的 ESD 旁路。  这些小型电容器在 FET 上提供高频交流短路、而对于直流、如果 FET 关闭、路径可能会打开。  2个电容器串联使用、以防一个短路、另一个短路仍然正常。  一个组件故障不会绕过 FET、需要2个故障、每个电容器上一个故障绕过 FET。

    2. 对于 DSG、BQ77915具有低关断电阻 RDSGOFF。  该电阻与 FET 栅极的外部串联电阻配合使用、使 FET 栅极电容放电并关断 FET。  测试各种电阻器是一个好主意。  使用单个 FET 时、我希望值会达到更大的范围或更大的范围、但系统设计中有许多因素。  我希望您希望更改 EVM 设计中与 R23等效的值、R_DSG。  当 DSG FET 导通时、RGS_DSG (上面的 R29)将提供直流负载。  它通常是一个较大的值。  

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    TI__Guru**** 2550050 points
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    你好，Mounish，
    您必须考虑、在关闭短路时、该组件非常慢。 芯片需要大约1ms 来关闭检测到的短路。 我在具有 VTC6的3S 电池组上测量到160A 的电流。 额外的熔融熔丝比芯片快。 这意味着您需要非常强大的 MOSFET。
    此致
    Karl