主题中讨论的其他器件： LM5109、 LM5111
与 LM5106相比、LM5109具有两个输入-一个用于低侧、另一个用于高侧。 这意味着使用 LM5109可以"轻松"实现三种不同的驱动选项：仅驱动低输入、仅驱动高输入、并且可能(添加了死区时间-这可能不是很"简单")驱动两者。 实际上、LM5109可用作低侧、高侧和半桥驱动器、具体体现在您如何配置信号源。
例如、当这种方法有用时、请考虑暂时将负载连接到半桥的 VBUS 以外的其他器件-您可能需要控制半桥的低侧晶体管、 负载(如果具有电感)可能会很高兴反激到 VBUS (正向偏置高侧晶体管的体二极管)。 不过、您不想在负载应处于"关闭"状态时强制负载的受控端达到 VBUS。 此外、即使可以将负载的这一侧驱动至 VBUS、在100% HS 占空比下、您最终会对自举电容器放电-您需要循环输出以对其进行充电、并且您可能不希望(或不允许)对其进行充电。
相比之下、当以预期方式使用 LM5106时、它只能用作半桥驱动器[只要启用了该驱动器、HO 或 LO 均将打开]-根据上述示例、它"无法"使用、 因为您永远不想打开高侧晶体管(其中包含用作 VBUS 反激二极管的功能)。 这就引出了一个问题：“允许”反转使能和 IN 引脚的分配吗？ [如果有人想知道"如果您只需要低侧驱动器、为什么不使用 LM5111？"、请考虑灵活的硬件、这不是特定于应用的硬件和/或您无法预测需要驱动何种负载、 Ergo 输出级必须处理尽可能多的实际可行的情形]。
使用与上述相同的情况、我们看到我们需要生成 LS PWM 信号、并且我们不想驱动 HS。 这可以通过将 IN 驱动为0 (因此 LM5106将驱动 LO)、然后将 PWM 信号施加到 EN 引脚来轻松实现。 根据数据表、导通和关断时的延迟约为36ns、因此不会使施加的占空比失真。 无需担心死区时间、因为 IN 引脚在此驱动模式下不会更改。
至少根据数据表中的信息、LM5106似乎可以做 LM5109能做的一切、但更好的一点是、信号源不需要插入死区时间。 在增加此类死区时间很难/计算成本很高或在信号源中不可能实现的情况下、这可能会带来一些好处。 虽然这个电势驱动范式仍然需要两个支持 PWM 的引脚、但它牺牲了改变信号源中死区时间的能力(如果源甚至能够改变死区时间)、从而能够驱动半桥、而无需在源极添加死区时间。
我在这里的问题是，是否有人可以看到这不起作用的原因？ 数据表未考虑此驱动器范式(可以理解)、但并未说明它不起作用。 简化方框图看起来应该正常工作。 但是、简化方框图就是这样、可能不会涵盖会排除此驱动方法的细微差别。
此致、
Patrick Herborn。
附录：对于使用2个 LM5106s 的全桥操作、仍然可以通过在两个 INS 均为0且均已启用的情况下执行单周期来预充电自举电容器。 当仅使用一个 LM5106仅切换高侧时、接地负载无论如何都会为自举提供充电路径。
