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您好！
我的客户有以下与电流限制相关的问题。 请回答这些问题吗？
谢谢、此致、 M.Hattori。
您好、Motoyasu、
主要原因是低侧电流限制可以正常工作、足以保护 D-CAP 控制器件。
2、如果 Vout 短路、且这在高侧导通期间发生、则电感电流在导通期间会上升一点点。 但导通时间结束后很快就会下降、D-CAP 转换器内部有一个导通时间计时器用于计时。 低侧 MOS 将一直导通、直到电感电流小于电流限制。 在 OCP 期间、从低侧 MOS 感测到的谷值电感器电流将被限制在电流限值。 峰值也受到限制、因为导通时间将固定为一个小值。 这就是 OCP 在高侧 MOS 导通期间发生短路时的工作方式。
我们知道、电感器电流的压摆率与导通期间的 Vin-Vout 成正比。 当 Vout 较短时、Vin-Vout 变为 Vin、电感电流的压摆率将变大。 在恒定导通时间的情况下、当 IC 进入导通时间时发生短路时、会发生最坏的情况。 最坏情况下的峰值电流为：Ivalley (正常运行期间)+ TON* Vin/L 这是极端最坏的情况。
您只需根据此原理估算某些应用在最坏情况下的峰值电流。 我可以说的是、设计团队和验证团队已经为 OCP 功能完成了大量验证和验证工作、这可以确保器件的可靠性、无论在高侧 Mos ON 或低侧 Mos ON 期间发生短路都是如此。
此致、
Andrew
我首先想到的有两个原因：
一种是峰值电流模式、我们需要峰值电流限制来闭合高侧。 在 DCAP 模式下、高侧 MOSFET 在由内部一次性计时器设置的导通时间内导通。 该导通时间是根据转换器的输入电压、输出电压和伪固定频率设置的，因此这种类型的控制拓扑称为自适应导通时间控制。 因此、在 DCAP 模式下、无需使用峰值电流限制来闭合高侧。
另一个是 Vin、Vout 固定后、导通时间固定。 凭借低侧谷值电流限制和合适的电感器值(建议电感器峰间值为20%至40% Iomax)、我们还可以估算高侧电流以实现保护。 因此 、通过添加单独的高侧过流保护电路来增加面积并不是很具有成本效益。
2.当在高侧打开期间发生短路时、高侧将保持开启状态、直到触发内部单次触发定时器。 则高侧将关闭、低侧将打开。 低侧将保持导通状态、直到电感器电流电平低于 OCL 电平。 当电流受到限制时、输出电压往往会下降、因为负载需求高于转换器可以支持的负载需求。 当输出电压降至目标电压的68%以下时、UVP 比较器会检测到该电压并在等待1ms 后关断器件、该器件会在断续时间7ms 后重新启动。
如所述、在选择合适的电感器的情况下、损坏高侧的风险非常低。
谢谢、
Lishuang
