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我应该在 VSTOR 上放置一个较小的电容器/超级电容器、在 Vbat 上放置主超级电容器(还是忽略 Vbat)?
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这是否是可接受的用途?
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您好、Tim、
VSTOR 和 VBAT 之间的内部 PFET 仅用于防止 VSTOR 上的负载欠压。 大多数超级电容器不需要欠压保护、因此您可以将 VSTOR 短接至 VBAT。 VSTOR 上需要0.01-0.1uF 电容器、并且需要放置在 VSTOR 和 VSS (连接到 VSS 的 NC)引脚之间靠近 IC 的位置。 我建议也保持4.7uF 电容器。
我不理解您的二极管如何避免冷启动。 对于如此强大的太阳能电池板、我建议使用外部 PFET1将电池板直接连接至超级电容器、然后使用打开的 PFET2将太阳能电池板连接至 VINDC。 PFCET1将在 PFET2打开之前先关闭。 您可以使用 VBAT_OK 比较器来控制 PFET 或添加 TPS39系列中的第二个低 Iq 比较器。 这将避免冷启动。
请记住、这是一个仅升压充电器、因此输入 MPP 电压必须低于 VBAT_OK 电压。 如果您使用的是具有80%*5V=4.2V MPP 的5V 面板,则 VBAT_OK 必须大于4.2V。
此致、
Jeff
非常感谢 Jeff、非常清楚、我正在使用 BQ25504评估板进行进展。。 以及电阻计算器电子表格 SLURAQ1。 我想我现在可以应付冷启动,但如果需要的话,关于 PFET 的想法非常好:-)。
最后一点、关于 MPP 设置、我的面板为5V o/c、但在英国阴暗的条件下、不太可能被如此高的光照(甚至不倾向于阳光)、今天测量的 o/c 最大值为4.4、那么: 但我想我应该继续争取>4.2V 的 MPP,因为这不会改变。
每一个祝福
Tim