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[参考译文] BQ77915:导致 MOSFET 烧断电的器件过流检测问题

Guru**** 2551110 points


请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/965367/bq77915-device-over-current-detection-problem-that-causes-mosfet-burnout

器件型号:BQ77915

您好!

我们反复检查了所有保护、所有单独的保护(一次测试1个保护)都正常工作、但当设备处于 OTC (过热)状态时。 充电期间)保护、关闭充电 MOSFET 栅极、充电停止。 移除充电器后、如果我们连接负载并在 OCD 以上的高电流情况下开始放电(器件处于 OTC 保护状态时)、则器件不会受到保护、并且无法关闭 MOSFET、这会导致 MOSFET 烧断。

我们还注意到、当存在 OCC 保护且连接了负载、然后器件不处于 OCD 保护之下时、同样的问题也会导致 MOSFET 烧毁。 请尽快提供解决方案。

器件:BQ7791501、采用10S 配置

LD 电阻:470k

Rsns:2m Ω

由于此问题、我们在开始生产和生产后也遇到了此问题。

请提供解决方案概述。

此致  

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好 Pankaj、

    在您描述的情况下、器件将尝试启用 FET 以保护 FET 免受损坏(请参阅数据表中的表9-6)。 您能否在这些事件期间捕获 FET 栅极的波形、以查看它们相对于事件的切换速度是否足够快? 可能需要调整 DSG 和 CHG FET 栅极电阻器以调整系统的上升/下降时间。

    此致、

    Matt