[参考译文] UCC28180：UCC28180：TIDA-00652

您好、Prahu：

感谢您对参考设计的首次介绍。 我正在尝试寻找参考设计的作者来提供帮助、但遗憾的是、我现在找不到该人。

对于您的第一个问题： 在参考设计的报告中、最小 IOCP 为2.5A、因此当您以稍高的正常输出电流在1.25A 电流下运行24V 时、SMPS 不会受到保护。

对于第二个问题、我检查了原理图、并且 BaiseHV 电路与 SMPS 抽取无关、 您能向我提供有关故障的更多信息吗？哪个组件存在过热风险？

还有一个问题、您是测试 TIDA-00652还是基于 TIDA-00652 BOM 构建电路板、然后测试您自己的电路板？

你(们)好、David

感谢您的回复。设计文档中显示了1.2A 时的最大输出电流、这是否意味着电流消耗可能会超过1.4至1.5安培、电源可以在很长的时间内保持这一消耗？

当电源处于打开模式时，BaisHV 电路假设会关闭，但我看到 R1、R24和 R25存在过热问题，使其周围的 PCB 在一段时间内变为黑色。 此外、MOSFET U4 在使用几个月后会短路、通常会在启动时烧坏。 我已经在待机模式下测试了电路，电路从未出现故障，只有在电路过载几次后才会燃烧部件。  

组件与 BOM 完全相同。  系统会检查 BaisHV 电路上每个点的电压、并根据设计进行检查。

我已经根据 TIDA-0065设计和构建了一个 PCB。

照片将介绍对 Bais HV 电路的影响。 这是大多数使用后和超过1.2安培后的电路板，即：连接到输入交流电源的总功率超过32瓦(瓦特计)。 如果电路板的运行功率较低、例如28至29瓦、则电路板不会出现此问题。

我已将电路板保持待机状态超过100小时  、并且从未看到元件烧坏、执行此测试是为了确认元件能够耐久地使用 BaisHv 电路。

您好、Prahu：

我的理解是参考设计的输出电流为1.2A。 因此、如果您希望输出超过1.2A、则可能需要一个风扇来冷却电路板上的堆。

您能否尝试使用 TIDA-0065查看该参考设计是否存在相同的问题？  

你(们)好、David

主要组件(MOSFET 和电感器等 )的发热不是问题、这些组件应在绘图电流上加热。 仅当电源处于低功耗模式时才使用 BaisHV。

我需要知道为什么 BaisHV 电路会出现此问题、当电源实际接通且电流消耗时、它应该关闭、所以这个电路不应该加热和烧坏。

我不需要更多电流、我正在尝试了解这种情况的发生原因。

此外，由于电源可以驱动到低于30瓦的功率，因此我应该能够在设计的电路中运行高达29.5瓦的功率。

问题不在于实际电路、而在于高电压(上电和待机)电源电路、除了 DRV10983外、没有其他问题。 因此、电流消耗非常低。

此致

第纳尔

您好 Dinar：

很抱歉耽误你的答复。

从您提供的信息中、我建议您执行以下测试、以找出 HVBIAS 电路存在过热问题的原因。

• 当输出功率低于30W 时、例如25W 时、由于 HV 偏置电路没有故障、因此在这种情况下、我建议您可以探测流经 U4 MOSFET 的电流、假设电流为 I1。

• 尝试将输出功率增加到30W 以上、例如在35W 下、因为 HVBIAS 电路出现故障、您还可以探测流经 U4 MOSFET 的电流、假设电流为 I2。

电流 I1应小于 I2、因为 I2会使 U4和电阻器过热故障。 此时、您可以尝试增加电感器的次级匝数。

目的是提高电路中信号 MAG 的电压、并始终让 HVBIAS 旁路。  

我的嘉宾是在过功率条件下、HVBIAS 会始终为 VCC 电容器 V12充电、这会使电阻器和 MOSFET 在过热条件下充电。

让我知道这是否有意义。

你(们)好、David

感谢您的回复、我进行了您提到的测试。 结果如下。

设置。  并联电阻器 R24和 R25的输出与 U4的漏极之间检查的电流。

待机条件，DRV 速度为零。 输入功率2.0W、电流5.1mA 至5.4mA 在这种情况下、输出为24V。

2.输入功率12瓦，流过 U4的电流为51.7mA，输出电压为24V。

输入功率25瓦，通过 U4的电流为44.0mA，输出电压为24V。

输入功率28瓦，通过 U4 IAS 的电流44.2mA，输出电压24V。

5.输入功率31.1瓦，流经 U4的电流为44.3mA，输出为24V。

6.输入功率33瓦，流经 U4的电流为42.4 mA，输出电压为24V。

输入功率35瓦，流经 U4的电流为41mA，输出电压为24V。

不应在电源打开后立即关闭 MOSFET？ 我的意思是在启动时、 不同电源上的 TP3和 TP1 = 15.2V 至16.7V 之间的电压、 当电源开启时、电压应该 比启动电压高3伏、正确吗？ 还是我错了？

谢谢、此致

第纳尔

您好 Dinar：

您的结果令我惊喜。 与12W (51.7mA)相比、33W (42.4mA)时的电流更低。但您的实验是在这种情况下、MOSFET 和电阻器存在过热问题、这毫无意义。

我的理解是、在电源启动后、电流应该接近于零、从您的测试中可以看到电路一直在工作。

请检查 MAG 上的 VCC、电压应该比 Hvbias 提供的电压更高、例如3V。 因此、请检查您的插管二次绕组比。

你(们)好、David

变压器与 Wruth Electronics 的参考设计相同。 我能否在栅极驱动器上使用15V 齐纳二极管将输出电压降低至13V？  由于 UCC28180可以从11.5V VCC 开始，因此我可以通过这种方式确认变压器的电压是否符合实际设计，或者只能将电压保持在电路的电流要求

此致

第纳尔

您好 Dinar：

是的、请尝试一下。 谢谢。

你(们)好、David

我尝试将栅极电压降低到15V，但 MOSFET 的输出(VCC)不超过10.5V。 它低于 Ucc28180上的 VCC、我已在启动时将输出降低至14.2V、以确认这是否解决了 MOSFET 不关闭的问题、  但结果相同、MAG 电压大约为29Vdc、但 R11之后与 MOSFET 的输出相同。 启动时的 IE Vcc =启动后的 Vcc。 正如我在前面的帖子中提到的、仍然有流过 MOSFET 的电流消耗。

R11之后的电压在电源启动后增大还是与 MOSFET 的输出相同？

您好 Dinar：

关闭 HVBIAS MOSFET 的唯一方法是让 VCC 高于 MOSFET VG。

您能否帮助尝试将 D7从18V 降低到13V、然后将磁阻增大到至少13V、然后使用零电阻器来替代 R11？

在这种情况下、电源上电后不应有任何电流流经 HVBIAS MOSFET。

你好

我已经尝试过解决方案，我将 U4的 VG 降至15伏，因此输出降至10.5伏，这低于 Ucc28180开启所需的 VCC。  但我还尝试将输出控制为14.2伏，MAG 的电压为29伏脉冲，但在150欧姆电阻器之后，电压下降到与 U4的输出相同的水平。

我正在尝试弄清楚电压为何跟随 U4的输出。

你(们)好

 将设置电源、以便我可以获得波形、我有一个2通道示波器、因此很难同时显示全部3个波形。

您希望连接零欧姆的波形、或者连接150欧姆的波形会怎样？

我有15伏齐纳二极管(Vgs) 、这会将 U4输出降至10.5伏、这样会起作用吗？

您是否需要电源加载了10瓦功耗或仅打开电源的波形？

Rgerads

第纳尔

您好 Dinar、

您可以将 R11上的波形与零欧姆和150欧姆进行比较。

我可以使用具有10W 输出的器件。

[引用用户="David Huang33"]

您好 Dinar、

您可以将 R11上的波形与零欧姆和150欧姆进行比较。

我可以使用具有10W 输出的器件。

[/报价]

你(们)好、David

是将在电子邮件上发送波形表单。

谢谢、此致

第纳尔