大家好、
在我的客户设计中、在空载和高输入功率条件下、4星 MOSFET 非常热。
根据数据表写入以下段落、IC 将具有类似的跳过模式功能以减少占空比。 如何进入此模式?
(我知道当 EAOUT 低于0.5V 时。)
我们如何改善 MOSFET 的热问题?
谢谢、此致、
Jamie
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大家好、
在我的客户设计中、在空载和高输入功率条件下、4星 MOSFET 非常热。
根据数据表写入以下段落、IC 将具有类似的跳过模式功能以减少占空比。 如何进入此模式?
(我知道当 EAOUT 低于0.5V 时。)
我们如何改善 MOSFET 的热问题?
谢谢、此致、
Jamie
您好 Jamie、
是的、当 EAOUT 降至500mV 以下时、无负载比较器会关断输出级、当 EAOUT 升至600mV 以上时、允许输出再次导通。 如何使 EAOUT 降至500mV 以下。 您可以参考以下两点。
1、减小斜坡的振幅。 您可以减小 CT 第二侧的感应电阻器值。
2、请确认您是否在第二侧使用同步整流器(SR) MOSFET。 如果第二侧有 SR、则 PWM 仍将保持 CCM 模式、即使无负载、也很难将 EAOUT 电压降至500mV 以下。 您必须在空载条件下禁用 SR 驱动器。
重新分级以降低轻负载功耗、下面为您提供了一些建议。
1、 增加 变压器 初级侧的磁感应以减少开关损耗。
2、降低开关频率以降低开关损耗。
3、选择具有较低输出电容和 CRSS 的初级 MOSFET
谢谢