[参考译文] LM5122：关于最大占空比限制电路

您好、Yusuke -San、

感谢您发帖。  不过，我对这个问题感到困惑。  LM5122不支持100%占空比、如果您是指同步 FET、是的、LM5122支持同步 FET 在 VIN>Vout 时始终开启。   

无论哪一个、如果您谈论100%占空比、这意味着将不会有任何开关操作。 否则、它不是100%占空比。  因此、您关于栅极-源极充电和放电的问题确实使我困惑。

如果您可以向我展示一些图、如关键波形、可能有助于我们充分了解问题、那么我们可能会推荐一些有意义的东西。  

此致、

应用工程学 Yohao Xi

您好、Xi、

感谢您的支持。
〉然而，我对这一问题感到困惑。
〉LM5122不支持100%占空比、
〉如果您是指同步 FET、是的、LM5122支持同步 FET 在 VIN>Vout 时始终开启。  
我向您提供了错误的信息。  很抱歉、我的解释不够。
不是100 μ A 的％、而是完全打开(器件的运行时间尽可能长)。  
您是否知道限制接通时间的外部电路示例？

〉如果您可以向我展示一些图、如关键波形、可能有助于我们充分了解问题、那么我们可能会推荐一些东西
〉有意义。  
我将请求向客户提交波形图像。

此致、
Yusuke

您好、Yusuke -San、

您能不能说您需要这样做的实际原因是什么？   您是不是要将占空比缩短？  例如、IC 可能会发出80%的占空比、但您想将其削减至50%？  

谢谢、

Youhao

您好、Youhao、

感谢您的回答。
〉您是不是要将占空比缩短？
是的。
FET 无法完全关断、因为栅极-源极电容的充电和放电无法及时完成。
通过限制占空比、客户希望覆盖较大的栅极-源极容量。

此致、
Yusuke

您好、Yusuke -San、

很抱歉我不能完全理解原因。  我是否可以麻烦你给我展示一张图表或图、这些图可以说明他们想要做什么、但现在却不能做什么？

LM5122具有较长的强制关断时间。  它的典型值为330ns。  这意味着关断 FET 的时间至少为330ns。  在占空比较低的实际应用中、关断时间较长、因为占空比偏离了最大占空比、并且额外的关断时间会增加到330ns 的最小关断时间。  这应该足够长、以便对 MOSFET 栅源极电容放电。  它在此应用中的栅极-源极电容有多高？   它们是否在 MOSFET 栅源极之间添加了额外的电容器？ 如果是、为什么？

谢谢、

Youhao

您好、Youhao、

很抱歉我迟到了。
我要求客户更新其状态和波形。
但是，我尚未收到答复。
我是否应该关闭并重新询问此 E2E？

此致、
Yusuke