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[参考译文] BQ40Z60:BQ40Z60意外充电 FET 故障

Guru**** 2516170 points
Other Parts Discussed in Thread: BQ40Z60

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/874584/bq40z60-bq40z60-unexpected-charge-fet-failure

器件型号:BQ40Z60

大家好、我的客户在他们的工厂中遇到了这样的问题、请先帮助回答客户的问题、并建议我们可以做些什么来提供帮助、谢谢!

1、它是一个使用 BQ40Z60作为 BMS 的 BBU (电池备份单元)项目、它是完全由客户设计的2S1P 电池组

2、最近客户的制造团队(总部位于美国)报告了一个 PF (永久故障)、其故障率非常高(基于有限的样品数量、超过80%、共6个)。 进一步解码后、报告出现 CFET 故障(充电 FET 故障)、客户可从 TI 技术文档中找到以下所有内容

3、客户不会更改此 BQ 设置阈值、这意味着在该 BBU 中它仍为5mA/5s

4、他们非常确信没有真正的电荷 FET 故障、更有可能发生意外触发、故障仅在低温(5-8C)下发生

 

目前、客户认为向 TI BU 团队提出的问题是:

1、在哪些条件下 CHGR 将关闭?

2、如果增大阈值、您是否预见到任何副作用?

3、该 BQ 具有 CC 自动偏移校准功能、这对这种故障有帮助吗? 我们是否需要手动执行该校准?

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    您好、Shenhua、

    让我仔细看一下您提供的信息、然后返回给您。

    Andy

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    您好、Shenhua、

    它看起来有点奇怪。 是否报告了任何其他故障? 您能否向我们发送他们的 srec 文件?  

    此外、  

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    Andy、您好、请参阅随附的 JIRA 中的 srec 文件。  https://jira.itg.ti.com/browse/BGP_APPS-335

    我们能否帮助根据我们基于 srec 文件的建议修改阈值、并以调试文件的形式发回这些阈值?

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    您好、Shenhua、

    我看到已为同一问题创建了 JIRA。 现在请允许我关闭它。  

    Andy