大家好、我的客户在他们的工厂中遇到了这样的问题、请先帮助回答客户的问题、并建议我们可以做些什么来提供帮助、谢谢!
1、它是一个使用 BQ40Z60作为 BMS 的 BBU (电池备份单元)项目、它是完全由客户设计的2S1P 电池组
2、最近客户的制造团队(总部位于美国)报告了一个 PF (永久故障)、其故障率非常高(基于有限的样品数量、超过80%、共6个)。 进一步解码后、报告出现 CFET 故障(充电 FET 故障)、客户可从 TI 技术文档中找到以下所有内容
3、客户不会更改此 BQ 设置阈值、这意味着在该 BBU 中它仍为5mA/5s
4、他们非常确信没有真正的电荷 FET 故障、更有可能发生意外触发、故障仅在低温(5-8C)下发生
目前、客户认为向 TI BU 团队提出的问题是:
1、在哪些条件下 CHGR 将关闭?
2、如果增大阈值、您是否预见到任何副作用?
3、该 BQ 具有 CC 自动偏移校准功能、这对这种故障有帮助吗? 我们是否需要手动执行该校准?
