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您好!
根据所附的原理图、我需要 UCC21530通过高侧 NMOS 和低侧 NMOS 切换100V、以提供接地。 当需要时、高侧 NMOS 持续地打开和关闭3ms (使用基于逻辑的微处理器的实际电路)。
我尝试进行仿真、但我遇到错误、OUTA 不会切换到关闭状态。 所连接的是电路。 你能告诉我我我出了什么问题吗?
谢谢、
您好 Pratap
感谢您的提问。 我在高功率驱动器组的应用团队工作。
我认为您的主要挑战是与高侧自举电源结合使用的低开关频率。 在电路级别、自举电源需要更高的开关频率才能持续补充、否则 Cboot 会耗尽电荷并关闭栅极驱动器。 如果您确实需要在如此低的频率下进行开关、我建议使用 SN6505B 等隔离式电源来提供高侧偏置。 为了进行仿真、您只需放置一个来自 VDDA-VSSA 的浮动电源即可。
在模拟级别,此模型需要 Tools->Analysis Parameters 菜单中的 TR Maximum Time 步骤要小得多。 这有点奇怪,我不能确切地确定原因,但在其默认值10G 时,它允许模型以~300us 的增量逐步执行,这就是 outa 不立即响应输入的原因。 将 TR 最大时间步长降至50ns 可使模型正确响应并模拟输出。 但是,由于您仍在模拟200ms,所以运行速度要慢得多,在我的笔记本电脑上花费了~5分钟。
如果这回答了您的问题、您可以按绿色按钮吗? 如果没有、请随时提出更多问题。
谢谢、此致、
John
您好!
感谢您的回答。 我也有同样的疑问。 我可以使用 DCP0205之类的隔离式电源吗?
您好 Pratap、
老实说、我对这些器件不太熟悉。 DCP0205似乎仅用于功能隔离、不应用于 UCC21530等增强型隔离。 如果您只需要功能隔离(例如、仅需要高压半桥驱动器)、则 DCP0205看起来应该可以、假设它满足您的电源要求。
谢谢、
John
尊敬的 John:
DCP0205用于为 UCC21530中使用的自举电容器馈电的电源。 由于我的开关频率较低、您在之前的答复中建议使用隔离式电源。 现在、有了这个、这个部件是否足以满足我的应用?
谢谢、
Pratap
您好 Pratap、
我提到了 SN6505B、因为它更具可配置性、您可以为所需的栅极驱动偏置选择合适的变压器。 您可以在此参考设计中看到这是如何实现的:
https://www.ti.com/tool/PMP21561
我主要会毫不犹豫地推荐 DCP0205、因为它仅列出了信号隔离和接地反弹保护特性、并且未列出共模瞬态抗扰度。 这些快速开关的高电压电路需要高 CMTI 才能正常工作。 由于推挽式变压器具有较低的 CIO、SN6505B 推挽式转换器可以处理这一问题。
谢谢、
John
尊敬的 John:
谢谢你。
因此、如果我使用 SN6505B、那么我将不需要自举二极管和电容器。 我是对的吗?
谢谢、
Pratap
[引用 user="Pratap K"]
因此、如果我使用 SN6505B、那么我将不需要自举二极管和电容器。 我是对的吗?
[/报价]
您好 Pratap、
你是对的。
最棒的
Dimitr
您好!
感谢您的支持。 到目前为止、我已经对我的设计进行了改进和补充。
我们有一项新的要求、即电路必须能够承受反向电压应用。
我连接了我正在使用的最新电路。 我的计划是使用两个背靠背组合的 N-FET。
UCC21530是否能够承受反向电压? 在"Vout"和接地之间施加70V 的最大反向电压。
我看到的另一个选项是悬空底部 NFET (U3)。 U3用作下拉开关。 您是否预见到任何问题?
如果您对电路有任何其他意见、请告诉我。 e2e.ti.com/.../UCC21530_5F00_TRANS_5F00_Edit_2D00_0401.TSC
您好 Pratap、
您能否帮助绘制施加预期电压的原理图?
UCC21530在 VDDA-VSSA 之间具有30V 的绝对最大值、在 VDDB-VSSB 之间具有30V 的绝对最大值。 VSSA 和 VSSB 节点之间的电压可以高得多。 它也可以是正的或负的。
如果底部 NFET 悬空、它将如何将 VOUT 下拉至 GND?
谢谢、
John
e2e.ti.com/.../3365.UCC21530_5F00_TRANS_5F00_Edit_2D00_0401.TSCHiJohn、
我附加了两个文件:一个是仿真文件、另一个是显示故障电压应用的文字文档(红色箭头)。
必须针对这些故障电压应用为电路提供保护。
我计划使用背靠背 FET 来保护它们。 我对 UCC21530感到关切。
此外、
1.是否有办法在 TINA TI 中模拟不同的接地?
2.我尝试模拟以下内容,仿真器抛出错误:
2A。 隔离式 VSSB 和底部 NFET (悬空)
2b. VSSB 隔离式(浮动)和底部 NFET 接地。
3.隔离接地-逻辑输入、VSSA 和 VSSB 接地是否有助于故障电压情况?
您好 Pratap、
我发现、仿真器在"浮动"配置中使用节点进行仿真并不是一项很好的工作。 它们通常需要从某个基准电压开始、而不是从另一个基准电压开始。 考虑到这一点、您可以在输入侧 GND 和输出侧 GND 之间添加电压源以建立此基准。 您还可以放置一个非常小的电容器、并将启动电压设置为0以建立基准电平。
在第二个问题上、仿真可能会引发错误、因为您将 V7、V8和 V9串联接线、从而形成一个电压源环路。 由于210V/0Ohms =无限电流、这些源将尝试推送无限电流(70V+70V+70V = 210V)。
我建议您只需尝试将 HV 直流电源从+80V 切换至-80V、以测试反向电压处理能力。
根据我的理解、只要栅极驱动器的电源被隔离并防止 VDDx-VSSx 电压超过建议的最大规格、UCC21530就可以处理此负电压。
谢谢、
John
尊敬的 John:
我尝试通过背靠背配置来保护 FET。 但它不起作用。 您是否有使用 UCC21530的参考电路?
谢谢、
Pratap
您好 Pratap、
通常、反向电源保护置于直流总线电源和直流总线电容器之间。 这可以是二极管、也可以是有源电路、可以检测反向电流并关闭电流。 这与本技术手册中看到的内容类似。
http://www.ti.com/lit/an/slva139/slva139.pdf
您能给我提供更多有关您的电路所做的工作的背景信息吗? 有许多方法可以防止反向电流保护、但通常是在功率级之前完成的。 我从未在功率级中看到过它、通常是因为它会增加额外的成本和额外的环路电感。 如果您能给我一张简单的图表、说明此电路需要连接的系统类型、我可能会提供进一步的帮助。
谢谢、
John
尊敬的 John:
所连接的是我正在使用的电路块。 当输入和输出反向时、我需要保护我的电路。 由于高耗散(50A)、路径中的二极管被排除。 我尝试使用具有共源的背靠背 MOSFET 对背电路进行仿真。 我有时会遇到收敛问题、它显示了 MOSFET 导通时的情况。 您能不能建议我做了哪些错误的事情?
是否可以在半桥驱动中使用背靠背 MOSFET?
谢谢、
Pratap