[参考译文] TPS23755：TPS23755运行

您好 Kalpesh、

1.  建议从 RSRF 10欧姆开始、RSRR 10欧姆开始、然后在工作台和 EMI 测试期间进行相应调整。

查看图46下方的图48、了解如何处理过冲。  

 2. IC 耗散的功率将是导通 FET 的功率(IRTN*IRTN*RDSON)和驱动开关 FET 栅极的功率(VCC*ICC)以及开关 FET 的导通损耗(RDSonFET*IRMS*IRMS)。

3. CP 应连接到辅助绕组的底部。 IC 使用初级侧调节(PSR)、因此变压器不是您的典型变压器。 辅助器件需要一个特殊的堆栈来正确调节、并且 CP 引脚使用该基准。 请查看我们的 EVM 的示例设计：

https://www.ti.com/lit/ug/slvubg8/slvubg8.pdf

4.这些词是数据表上内容的直接副本，您对此有疑问吗？

如果此帖子回答了您的问题、请将此主题标记为已解决。 谢谢你。

此致、  

Michael P.

应用工程师

应用工程师  

感谢您的快速响应、

1) 1)图46显示了漏极电压下降沿的负击穿。 该负击穿电压为-18V。

该负击穿限值应该是多少？

2) 2)计算不包括开关损耗。 请建议计算开关损耗。

通过更改 SRR 和 SRF 电阻值、VDS 电压摆幅的压摆率将发生变化、这将导致开关损耗发生变化。

3) 3)您提到要保持辅助绕组的特殊叠层向上。 是否有任何要定义的绕组结构？

我们已经验证了参考设计变压器 和我们的设计变压器。

参考设计使用 了 LDT0950-50。

初级-次级匝数比为2.57、初级-偏置为2.25。

我们使用 TNK 变压器(https://www.datasheet4u.com/datasheet-pdf/TNK/TSA021/pdf.php?id=1302694)

Pri-Sec 的匝数比为2.0、Pri-Bias 的匝数比为2.0。

我们已经使用 TPS23755 EVB 板验证了此 TNK 变压器、并在限制范围内找到了调节。

25mA 输出负载下的输出电压为12.70V

1A 负载时的输出电压为12.05V。

下面是具有 EVB 变压器的 EVB 板的调节。  

25mA 输出负载下的输出电压为12.66V

1A 负载时的输出电压为11.96V

该 CP 在 IC 内部连接的位置？ 请分享显示 CP 连接的 IC 内部图。

请告知此 PSR 方案是否需要采取任何预防措施。

4) 4)我们需要简要说明此功能。 这在负温度下有多大用处？ OUT 应用是 IP 摄像机 POE 电源。 (产品工作温度为-30至+70D)。

该 DVDD 和 CVDD 如何在低温关断时提供优势？

您好 Kalpesh、

我们的 PoE 应用工程师今天不在办公室、将在周一、2月24日之前向您提供最新信息。

此致、  

Brett Colteaux

PoE 产品营销工程师

您好！

1) 1)负摆幅一直持续到-18V、如数据表的图46所示。 数据表中指定的漏极引脚上的绝对额定值为-0.3V。 请告知负摆幅限制。 Vdain 引脚负电压耐受限值是多少？

2)开关损耗公式包括栅极电荷(Qgs2+Qgd)和栅极电荷电流(Iq)。

TPS23755的数据表中未提供该值。 请告知此值。  

通过随增益调整 Rsrf 和 Rsrr 开关损耗来提高压摆率。 请帮助将上述等式中的相同内容关联起来。

此公式是否包括总开关损耗(导通和关断)？

3) 3)确定。 已解决此问题。

4) 4)确定。 已解决此问题。

1.好的。 已解决此问题。

我们需要估算 MOSFET 上的功率损耗。 请告知不同驱动电平下的开关损耗。

请提供基于 VDS 波形的上升时间和下降时间的开关损耗公式。

感谢您的支持。

2.我不确定如何通过测量 VCC 电流来估算功率。

TPS23755中存在许多功率损耗。

－IC 电源损耗：我们将检查 IC 的功耗

MOSFET 的传导损耗：我们将根据 MOSFET 和 RMS 电流的 RDS on 进行估算

-热插拔损耗：我们将根据热插拔 MOSFET 电阻器和平均电流进行估算

－MOSFET 的开关损耗：如何估计这种 VCC？