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[参考译文] BQ34Z100-G1:它使能防止更新数据闪存

Guru**** 2553260 points
Other Parts Discussed in Thread: BQSTUDIO, BQ34Z100EVM, EV2400, BQ34Z100, BQ34Z100-G1

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/872766/bq34z100-g1-it-enable-prevents-updating-data-flash

器件型号:BQ34Z100-G1
主题中讨论的其他器件:BQSTUDIOBQ34Z100EVMEV2400BQ34Z100

大家好、我正在使用 bqstudio 1.3.86和 EV2400 0.28来播放 bq34z100EVM 板。  

我尝试为 PbA Yasua NP712FR 进行学习周期。 12V 7AH 亚光酸玻璃。  在尽力在数据闪存中设置适当的值后、我单击"IT-ENABLE READY (IT 启用就绪)"以尝试学习周期。

由于单击 IT-ENABLE、我无法更改任何数据闪存参数、例如、我错误地在 Pack Configuration 中选中了 temps。 现在、如果我取消选中它并单击"write to data memory"、左下角会出现一个红色对话框、显示"a read of data writed failedcomparation"(读取写入的数据比较失败)。

我还错误地将 FC 设定百分比设为100、当我应该将其更改为-1时、我在 Qmax Cell 0中的值被严重低估、当我尝试从扁平 FC 为电池充电时、在充电终止之前、我就会得到很好的检查。

我现在无法更改这些参数中的任何一个。 用同一问题发布的其他人的一句话"我被热情招待"。

https://e2e.ti.com/support/power-management/f/196/t/706519?tisearch=e2e-sitesearch&keymatch=BQ34z100-G1%2525252525252520%2525252525252520return%2525252525252520to%2525252525252520factory%2525252525252520defaults

我认为我的问题不在于 闪存更新正常电压。 校准电压后、校准中的分压器值更新为19218。 这对我来说似乎很高、因为我进入了16000个(EVM 上的16V 跳线)、但我要争辩的是谁。  我将电池端接电压设置为1800、 6x1800 = 10800、这仍然保留了大量的保留空间、因此我使用此值计算 闪存更新正常电池电压、如下所示:1800*6*5000/19218 = 2810。  这非常接近默认值、我只将其保留为2800。

更多 SLUA664表明"如果检测到一个充电条件、那么这个寄存器被忽略"。 即使在充电时、我也无法更新任何数据闪存、因此我不认为我的问题在于 闪存更新正常电芯电压寄存器。 但我渴望得到纠正。  

我单击了"命令"中的"取消密封"、尽管我从未先将其密封;没有任何用处。 就像明智的取消密封完全访问没有帮助。

如果您无法告诉我如何解决问题、如何将 EVM 恢复为默认出厂设置并从头开始重新开始?

谢谢

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    大家好、我也是。

    我使用我从器件产品页面 bq34z100_G1_V0_16_build_17.srec 文件重新编程了我的 EVM 模块, bq34z100-G1器件固件 (ZIP 4170KB)  2015年2月25日  

    我更新了所有数据闪存、这很好、但现在我无法校准电压。

    我在 Pack Config 中选择了 VOLSEL 和 calen

    串联电池节数 设置为6

    我已在分压器中输入16000

    在尝试校准电压时:

    测量仪表显示为10800mV、在施加的电压中输入12965、选中校准电压框、然后单击校准电量监测计按钮。

    这会导致按钮交叉、屏幕左下角会显示红色消息:CALIBRATION - CALIBRATION CELL VOLAGE REPLEFT OUT (校准-输入的校准电芯电压超出范围)。 该值以毫伏为单位。 请检查值并重试。

    足够让你哭了!

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    我可以获取您的 gg 或 srec 文件吗?  我要看一下。

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    e2e.ti.com/.../3731.0100_5F00_0_5F00_16_2D00_bq34z100G1.zip

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    你(们)好、Andy

    我重新安装了 bqStudio 并修复了它。 现在、我可以再次校准电压。

    似乎正在运行 bq34z100G1FirmwareBundle -0.16-windows-installer pooched bqStudio。

    这显然是一个持续存在的问题。 有100万个帖子是由具有相同问题的人发布的... 几年前的事情。

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    你(们)好、Andy

    我在学习周期中还没有找到任何东西。

    我使用的是12V 7AH 铅酸玻璃亚光、与 Yashua 的品牌不同、但规格相同。

    您能看一下 attache .srec 和.gg 自动导出的文件。

    当我开始记录时、电池几乎为空。 我启用了它、复位、然后放电至端子电压。 休息了5个多小时、Qmax DOD0是在我开始充电之前拍摄的。 当锥形电流低于200mA 的阈值时、设置了 FC 标志并且我停止充电。 我等了6个小时或更长时间、但 Qmax 从未被采用。 更新状态仍然为04。

    您能看到明显有什么问题吗?

    谢谢

    Matte2e.ti.com/.../firstDischargeGG.zip

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    Matt、您好!

    确保也设置监测计_ENABLE。

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    你(们)好

    我找不到任何名为 gauge 或 enable 的命令或寄存器。 您是说 IT_ENABLE 吗?  

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    Matthew、您好!

    请遵循学习周期应用手册。 您需要至少运行3个周期。

    一个用于 Qmax、一个用于 Ra、最后一个用于精度。

    放电需要是恒定电流或功率负载。

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    你(们)好

    我之前附加的日志文件是应用手册中所述过程的初始步骤。

    对 IC 进行了编程、校准、IT_ENABLE()然后重置()、电池放电以终止电压、休息、采用 QmaxDod0 (标志 OCVTAKEN、VOK 和 QFN 全部设置)、充电以逐渐减小电流 FC 设置、休息、但 QmaxDOD0从未获取、Qmax 从未更新、更新状态保持为04。

    在学习周期中没有任何意义、即进行另一次放电、因为 Qmax 未设置。  正如您指出的、需要在更新 Ra 之前获取 Qmax。

    我的问题是、充电完成后永远不会计算 Qmax。  您能否查看我的文件以查看是否有任何明显的问题。

    谢谢你

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    Matthew、您好!

    我们需要您的实际文件、否则无法进行分析。 是否可以将运行三个周期的完整日志文件附加到其中?

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    你(们)好。

    我遇到了一些问题、因为我不相信在这个论坛上就这个 IC 提供任何建议、因为有很多矛盾的建议。  我很确定大家都不知道如何使用这个芯片。 我希望您对此没有实际经验、只是将您的数据表与之关联起来。  如果您不是专家、只想告诉我您认为数据表中所说的内容、我会要求您将我的案例转交给实际上拥有将此芯片与铅酸电池搭配使用经验的人员。

    话虽如此、我的意思是说没有任何违法行为、您能告诉我:我应该遵循 https://www.ti.com/lit/ds/symlink/bq34z110.pdf 数据表中的学习过程、还是 http://www.ti.com/lit/ds/symlink/bq34z100-g1.pdf 数据表中的过程。 因为我读过矛盾的意见,有些人说一个,另一些人说相反的。

    您能否澄清什么是 Cell Terminate Voltage 参数及其与学习周期的关系。  bq34z100-G1数据表中的学习周期程序显示、这是您应该放电到的欠载电压、而正如 bq34z100数据表所说的、这是完全放电电池的开路电压、 并且应接近 PBA 电池在静止时弹簧返回的电压。 您不同意两个非常不同的问题吗?

    现在、我在 C/10放电、降至10.2V、它在静止时恢复到大约11.4V。  Yashua NP712FR 数据表指出、在 C/10时、您每节电池的绝对放电电压至少为1.75V、超过此电压会对电池造成损坏。 由于我正在将超过此值的电压放电至每节电池1.7V、只是为了使休眠电压稍微降低一点、因为 bq34z100数据表说要这样做。

    我应该将电池端接电压设置为什么、为什么?

    谢谢你

    此致

    Matt

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    Matt、您好!

    电池端接电压是监测计达到0% RSOC 时的设置、或者我们将强制跳转。

    它与学习周期无关。 学习周期要求是在 QPass 中至少达到设计容量的90%、并进行两次合格的 DOD 测量以获得 Qmax 更新。 您需要高于 C/10放电率。

    您还需要进行第二次放电、以便更新 Ra 表。

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    你(们)好

    我的问题仍然存在。  当休眠时、从不采用 DOD0。  

    文件夹"步骤1充电"包含从平板电脑为电池充电的日志文件和.gg 导出文件。 电池已放电、休息、Qen 置位、充电直至达到收尾电流、休息、但 DOD0从未停止。  DOD0在充电结束时获取、但绝不会在休眠时获取、 Qmax DOD0从未复位。

    文件夹"步骤2放电"从 lat 文件的剩余位置放电。  当电池放电至电池端接电压时、电池可保持静止、但 DOD0也不会更新。

    在设置了 RUP_DIS 后再次为电池充电之前、我在此阶段复位 IC、以查看这是否产生了任何差异。 请参阅"复位后充电"文件夹。 同样、在静止时从未使用过 DOD0。 这次我等了36个小时、DVDT 约为500nV/S

    当休眠 dV/dT 远低于1uV/S 时、电流为0、低于 DSG 电流阈值、Chg 电流阈值和退出电流、且 IC 处于睡眠模式。

    您能看到任何阻止 DOD0在静止时被采用的条件或设置吗? 如果没有、我怀疑固件存在问题。  

    e2e.ti.com/.../DOD0-never-taken.zip

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    Matthew、您好!

    您使用的是哪种电池类型? 在某些情况下、即使达到 dv/dt、也需要长达48小时的时间才能获取 OCV。

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    你好,Kang,

    我正在使用12V 7AH AGM PbA。 如果满足 dV/dt 条件、它为什么必须等待48小时?  如果每次电池充电时电量监测计在计算 Qmax 之前需要休息48小时、那么芯片将是无用的。 大多数应用程序都不能在休息48小时、我不知道任何客户会等待48小时以估算费用。 一般的 sav,等待48小时意味着某件事不能正常工作。

    我已经花了几周时间尝试让这个芯片正常工作。  我不觉得这种支持路线会走向任何地方。 您能不能将我的问题直接提交给更能为我提供所需支持的人。

    此致

    Matt

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    我将关闭此线程、因为已创建新线程。