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[参考译文] TPS65400:CE、RSTN 和 ENSW 设置

Guru**** 2536510 points
Other Parts Discussed in Thread: TPS65400

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/900940/tps65400-ce-rstn-and-ensw-setup

器件型号:TPS65400

大家好、

我想澄清一下 TPS65400的以下内容

问题1.

请告诉我、在以下情况下、该器件是否会根据 FB 电阻器提供电压

CE 连接至3.3V

2. RSTN 通过10k 上拉至 VDDD

3、ENSW (所有4个开关中的)连接在一起并连接到3.3V

我的问题是 CE、RSTN 和 ENSW 是否需要任何序列。 当我上拉所有上述3个信号时、我希望电路板根据 FB 电阻器提供电压。

问题2:

电压、那么我将会看到该电压。 我是否可以执行以下序列:

CE 上拉至3.3V

2. RSTN 通过10k 上拉至 VDDD

我假设此时 I2C 线路处于活动状态。 我能否对所需的 VREF 进行编程。

4.从 FPGA 中将 ENSW 连接到高电平。

谢谢

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    John、很抱歉、我的回答很晚、我会让大家来回答您的问题。

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    你(们)好、John  

    Q1:CE、RSTN 和 ENSW 不需要序列。  

    Q2:可以、 序列可以正常工作。  

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    您好!

    还有一个问题、我想估算降压输出上的纹波。 在使用 TINA 和 PSPICE 模型时、我看到对模型输出进行了平均值计算。

    是否有某种方法可以估算我将看到的输出纹波? 是否可以提供输出具有开关性能的模型。

    目前、我将根据 第9.2.1.2.1.2节"输出电容器选择"中的公式估算纹波。  这是准确的吗?

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    你(们)好、John  

    遗憾的是 、没有开关模型可用于进行仿真。  

    2."9.2.1.2.1.2输出电容器选择"、它几乎是准确的、但请注意、当偏置直流电压时、MLCC 会降低、请使用实际电容进行计算。  

    根据经验、Cout 通常由等式11 (负载瞬态性能)决定。  

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    赵好、

    我有一个后续问题。

    由于纹波电压和瞬态电压降与输出电容器成反比。

    当我在降压转换器的输出端连接一个大约2mF 的高电容器时、您会看到有什么缺点。

    在我的 TINA 仿真中、对于灌电流、我看到当我连接一个2mF 的输出电容时、电压瞬态变为10mV。 这就是问题的原因。

    我知道我必须相应地修改补偿电阻器和电容器。 对于500kHz 的开关频率和0.8V 的输出电压、RC 约为500k。

    理解是正确的。 否则、您是否会在输出端连接如此高的电容器时看到任何问题。

    谢谢

    John

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    你(们)好、John  

    您为什么需要如此大的 Cout? 这是因为您需要非常好的负载瞬态性能?  

    针对大 Cout 的注释:  

    1.为大输出电容充电会在启动期间导致大浪涌电流/输入电流、IC 会触发 OCP 事件和断续模式。  

    为了避免触发 OCP、我们可以放大软启动时间(放大 SS 电容)。  

    充电电流 Icharge = Cout * Vout/TSS。  

    通常、我们设置 Icharge <= 1A、然后您可以计算 TSS。  

    之后、您可以使用下面的公式来计算 CSS。  

    2. 不需要将 RC 更改为500KOhm,建议根据我的经验将其保持在<=51kohm。  

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    大家好、

    我在一个设计中使用此 IC、其中前2个通道分别采用共享电流工作、另外2个通道单独工作。 我在 Ch3和 Ch4上遇到了一个问题、现在他们的使能信号连接到 VDDD、并且应该同时启动。 这个问题意味着在这两个器件启动后会立即出现高压降-持续时间为20ms、如数据表中所示、即使我不会期望 Iout 最大值过大、从我在数据表中读取的 Ch3和 Ch4值应为3A。 CH3也是通道4的输入。

    因此,我想请你就以下方面提出意见:

    1) 1)您认为我应该为 CH4放置外部使能信号、以便在它们之间存在延迟吗?

    2) 2)根据上述评论进行评论、您认为这可能与软启动相关吗? 输出端有几个10uF 和1个100uF。 到目前为止、我使用了 SS 引脚作为电源正常输出。

    3) 3) 如果我没有任何低于 VDDA 的信号放置在这里、CE 引脚可以保持悬空?

    4) 4)您是否还有其他建议?

    非常感谢!

    Matei

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    您好、Matei  

    一些问题:  

    1.您是否有"20毫秒的高压降"波形?  

    听起来好像 IC 触发了 OCP 和断续模式、您能否测量 CH3/4的输出电压、电感器电流和 SW3/4电压?   

    2.您可以将原理图和布局发送给我吗? 最好是 PDF 文件。   

    我想检查输入电容器在布局中的位置、它们应靠近 PVIN3/4引脚放置。  

    您的问题答案:  

    问题1:不、它不起作用。 CH3和 CH4 是独立的。  

    Q2:内部软启动时间大约为1.5mS、对于输出电容器(10uF + 100uF)来说、这已经足够了。 因此、我认为它与软启动无关。  

    Q3:保持 CE 引脚悬空是可以的。  

    Q4:我想查看您的补偿电路、请将原理图发送给我。  

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    赵好、

    非常感谢您的回答!

    1) 1)我可以发送波形、以便您观察到压降-请在下方检查、5V 时无负载。

      实际上、OCP 似乎是三态的、该通道停止20ms -如数据表中所示。

    2) 2)遗憾的是、我无法发送原理图或布局、但我可以确认输入电容器的放置正确、靠近 PVIN 引脚。

    针对 Q1、Q3和 Q4的注释:

    我认为它可能起作用,因为 Ch3上的电压用作 CH4的输入,并且它们之间有延迟,这可能减轻 Ch3上的压力;

    -然后、我将使 CE 引脚保持未连接状态;

    我可以告诉您补偿网络的值:RC 为75k、CC 为2.7nF、Croll 为2p 表示 Ch3、而 Ch4 RC 为68k、CC 为180p、Croll 为1p。 5V 为 Ch3、1.8V 为 Ch4。

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    您好、Matei  

    建议对补偿进行一些修改、之后再次测试。  

    通道3: RC 为10k、CC 为2.7nF、Croll 为2p。  

    Ch4: RC 为15k、CC 为2.7nF、Croll 为1p。  

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    赵好、

    谢谢! 我将尝试更改补偿组件并再次测试 Ch3和 Ch4的输出。

    因此、"不良"补偿可能会导致这种事件并触发 OCP?

    顺便说一下、如果不通过 I2C 与编程器件进行任何通信、那么 Ch3和 Ch4的默认 Iout 为3A? 或者、是否有任何其他方法仅在硬件中使用此值?

    此致!

    Matei

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    您好、Matei  

    1.是的、"差"补偿可能会导致 OCP 错误触发。  

    默认情况下、CH3和 CH4的 OC 限制为3A、只能通过 I2C 进行更改。  

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    您好、 Matei  

    我认为还有一个可疑的问题:  

    5V 电压轨在3.3V 电压轨启动时关断、3.3V 电压轨具有大过冲、这意味着3.3V 启动期间存在大浪涌电流、这可能会干扰5V 电压轨正常工作。

    您设置的软启动时间有多长? 包括下游电容器在内的总输出电容是多少?

    您将 SSX/PGx 引脚配置为 PGOOD 功能、对吧?  

    建议扩大软启动时间、您可以将 TON_RAMP_RATE 设置为11。

     

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    好的、让我们通过电子邮件来讨论进一步的问题。  

    我的电子邮件:zhao-ma@ti.com