主题中讨论的其他器件: TIDA-00792、
优先选择高侧 FET 驱动而不是低侧的逻辑是什么? 在数据表中、有人提到"高侧 FET 可实现主机控制器和监控器之间的持续通信、无论 FET 是导通还是关断。 这使得控制器能够在发生安全故障时读取关键电池组参数、从而使系统能够在恢复正常运行之前访问电池组条件"。 我不理解这个部分。 您能否解释一下、以便我决定是否为应用使用高侧或低侧 FET? 到目前为止、我认为没有任何与这些相关的问题。 请用这一概念的复杂性来启发我。
另一件事是、"DSG 在禁用时使用快速下拉至 VSS、而 CHG 在禁用时使用高阻抗(标称值为1Mohm)下拉路径。" 为什么需要这样做? 为什么需要缓慢关闭 CHG FET、同时可以快速关闭 DSG FET?
请帮助我理解这些内容。