我们使用此 IC 从3.3V 单独生成1.5V 和1.8V 电压
需要内部 FET 的上升时间和下降时间来计算开关损耗。
此外、如果输出侧短路、IC 将在特定时间后重试。 还是 IC 会闭锁? 根据数据表、 只要满足开关电流限制并且由于过载或短路情况而使输出电压降至标称输出电压的1/3以下、便会启用折返电流限制。 在这种情况下、开关电流限制降至 ILIMF 标称值的1/3。 此操作周期是否会重复? 或者、它会在第一次迭代后停止吗?
谢谢、
Vignesh T
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我们使用此 IC 从3.3V 单独生成1.5V 和1.8V 电压
需要内部 FET 的上升时间和下降时间来计算开关损耗。
此外、如果输出侧短路、IC 将在特定时间后重试。 还是 IC 会闭锁? 根据数据表、 只要满足开关电流限制并且由于过载或短路情况而使输出电压降至标称输出电压的1/3以下、便会启用折返电流限制。 在这种情况下、开关电流限制降至 ILIMF 标称值的1/3。 此操作周期是否会重复? 或者、它会在第一次迭代后停止吗?
谢谢、
Vignesh T
您好!
非常感谢您的回答。 这消除了我们的疑虑。
我们在数据表中看到的另一个偏差是、Tj=--40至125C 时的电气特性。 为 Tj=25C 定义了典型值
在该表中、高侧的 RDS 典型值为120m Ω。 (VIN=3.6V)
但在下图5中、RDS 值约为100mWh (Vin=3.6V)。 这是正确的值。 低侧也是如此
我们希望在最小-40C、典型值25C 和最大105C 时获得 RDS 值。
谢谢
Vignesh T