您好!
我面临一个问题、请仔细阅读。
随附原理图、请收集、
只要存在深度放电且任何电池电压降至欠压限值以下、DSG MOSFET 就会关断。 电池电压出现在 DSG MOSFET 的漏源极之间。
但根据数据表、CHG MOSFET 应相对于 P 端子保持导通状态、但 CHG MOSFET 的栅极和源极之间的电压为零。 但 CHG MOSFET 的栅极和 B 端子之间存在12V 的电压
。
原因可能是什么。
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您好!
我面临一个问题、请仔细阅读。
随附原理图、请收集、
只要存在深度放电且任何电池电压降至欠压限值以下、DSG MOSFET 就会关断。 电池电压出现在 DSG MOSFET 的漏源极之间。
但根据数据表、CHG MOSFET 应相对于 P 端子保持导通状态、但 CHG MOSFET 的栅极和源极之间的电压为零。 但 CHG MOSFET 的栅极和 B 端子之间存在12V 的电压
。
原因可能是什么。
您好 Gururaj、
在欠压情况下、CHG 会关闭、如数据表的表5所示。 电气特性表中的 VFETON 电平上的电荷相对于 VSS
DSG 关断时、PACK-引脚可能会受到负载或 CHG 引脚电压的影响、如图26所示。
我没有找到针对 PACK 施加的 CHG 电压的基准-请告诉我们这是在哪里引用的、我们可以在未来的文档修订版中查看我们是否可以更正或澄清这一点。
此致、
Matt
您好 Gururaj、
DSG 和 CHG 输出电压以 VSS 为基准、VSS 通常为电池。
当 DSG 关断且 PACK-变为高电平至 PACK+时、CHG 可能保持12V 的高电平状态。
例如、如果 B+为15V、则 VFETON 为稳压12V。 如果 DSG 从电池的 UV 中断开、CHG 在12V 时保持导通状态。 如果负载保持在 P+/P-端子上、则 P+= P-= 15V CHG 相对于 P-为-3V。 当 D3上拉电荷栅极且 D4阻断大部分电流进入 CHG 引脚时、任何流动的电流都将位于 R107中。 CHG 不会移动太多。 当您测量充电 FET 的栅极-源极电压时、它将大约为0。 对您的特定电压应用相同的分析。
当您从 P+和 P-移除负载时、LD 引脚将下拉 P-、您将看到栅极电压。 CHG 引脚将趋向于保持 P-、请参阅 BQ77915数据表中的图26。 当施加充电器电压时、P-由充电器驱动、充电 FET 导通。 在 UV 恢复时、放电 FET 导通、P-被下拉。