主题中讨论的其他器件: TPS25940
您好!
我正在尝试将 TPS25940EVM-635作为超级电容器充电器实施。 对此我几乎没有什么问题。
我使用了 C_ss 或 C_DVDT 大约15uF、通常它按预期工作。 但是、在加电和开始充电之间存在延迟(用红色环表示)
我注意到该延迟取决于使用的 C_DVDT (C_ss)值。 如何减少延迟?
谢谢。
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您好!
我正在尝试将 TPS25940EVM-635作为超级电容器充电器实施。 对此我几乎没有什么问题。
我使用了 C_ss 或 C_DVDT 大约15uF、通常它按预期工作。 但是、在加电和开始充电之间存在延迟(用红色环表示)
我注意到该延迟取决于使用的 C_DVDT (C_ss)值。 如何减少延迟?
谢谢。
尊敬的 Tonis:
是的、您的观察结果是正确的。 启动选择取决于 所使用的 C_DVDT (C_ss)值。
正如您所知 、C_ss 电容器决定了输出斜坡速率、该速率实际上是通过控制内部 FET 的内部栅极信号的压摆率来实现的。
在栅极电压达到内部 FET 的 Vgs 阈值之前、您不会看到任何输出根据 MOSFET 功能上升。
为了避免这种情况、您可以使用 TPS25940的电流限制功能、而不是基于 Cdvdt 的启动。 例如、将电流限制设置为1A、而不使用任何 Cdvdt 电容。 您将看到、器件以1A 电流限制启动、启动时没有任何延迟。
尊敬的 Tonis:
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