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器件型号：UCC21750 主题中讨论的其他器件： UCC21732-Q1、 UCC21736-Q1
您好！
根据 UCC21750数据表、其内部前沿消隐时间为200ns。 这是非常高的延迟时间(对于 SiC MOSFET、开关时间可能低至20-40ns)、甚至在激活内部电流源为外部消隐电容器充电之前也是如此。 是否有办法减少/定制这个200ns？
其次、与 IGBT 相比、SiC MOSFET 的 VDS 非常低、例如在额定电流下约为2V。 在这种情况 下、V_DESAT = VR+VF+VDS 绝不能超过9V 以触发故障。 在使用此 IC 进行 SiC MOSFET 去饱和保护时、您有何建议？
谢谢
Sandhya
