尊敬的 TI 团队:
我们使用的是具有5V 输入和3.3V、9A 输出的 TPS40305开关。 我们在认证前测试(FCC 第15B 部分)中遇到问题。 我们正在超出160MHz 宽带噪声的限制。 您能否帮助降低这种宽带噪声?
随附了原理图、布局和布线的快照。
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160MHz 噪声几乎肯定与 FET 导通或关断时的开关节点振铃有关。 这是因为与 FET 串联的寄生电感与开关节点的寄生电容相环、从而产生频率极高的谐振荡。
您的原理图显示了3个输入电容器、2x 10uF 和1x 1.0uF。 在160MHz 时、这些都不是特别适合绕过输入电压。 我可以看到2个10uF 电容器(C202和 C203)、但我看不到 C131、即1.0uF 电容器。 由于高侧 FET 的漏极和源极都有过孔、因此将其中一个10uF 旁路电容器移至电路板的背面会填充一个 C202所在的2.2-10nF 0402电容器、 以提供更好的 VIN 到 GND 的高频旁路。
向 SW 节点(串联电阻器 CAN 电容器)添加缓冲器有助于抑制开关节点振铃、方法是先吸收能量、然后再进行辐射。 下面是一个根据实验室寄生效应测量结果设计缓冲器的链接: https://e2e.ti.com/blogs_/b/powerhouse/archive/2016/05/05/calculate-an-r-c-snubber-in-seven-steps 如 Gerold 所述、缓冲器需要脱离开关节点。 Gerold 将补偿组件误认为接地、并认为它们是您的缓冲器(R79和 C135)
您的栅极驱动器和自举电阻器(R271、R89和 R85) 似乎已设置为降低开关节点的速度并减少振铃、但它们可能太大而无法有效、尤其是36欧姆时的 R85。 这些电压可能非常大、以至于它们在启动期间会断开栅极驱动、实际上会增加振铃、而不是减小振铃。 我建议尝试将这些电阻降至2.2 Ω、看看这是否有助于缓冲器和输入旁路的结合。
将这些引脚连接到 IC 的迹线也非常细。 虽然这可能与噪声问题无关、但最好将这些走线扩大到 IC 引脚0.2mm 宽的 LEAS 处。
您需要多少钱来降低160MHz 噪声?
感谢您提供波形。 是的、关断看起来非常缓慢且平稳、下降时间约为10ns、关断时的共振振振铃极小。 此类高 HDRV 和 BOOT 电阻的问题更多地在于 SW 节点的上升沿、在该节点上、如果栅极驱动电流限制过大、高侧 FET 将导通、 当漏源极电流上拉 SW 节点并折叠栅源极电压时、它可能导致 FET 关断。 这可能会导致开关节点随着开关节点的上升而振荡。 如果您已经检查过、并且开关节点的上升沿具有类似的10ns 上升时间、那么在负载下、开关节点似乎不是问题原因、电路中有一些其他元件以这种高频率谐振。
您是否能够在设计周围移动辐射 EMI 探针来尝试确定峰值噪声来自何处? 如果不是、您可以通过将一些裸线缠绕在示波器探头的金属接地管上、然后将末端回探头尖端来构建自己的辐射环路探头。 然后、在示波器运行的情况下、将环状探针尖端围绕电路移动、尝试确定有问题噪声的峰值位置。
您说 C131靠近 IC。 为 IC 的输入电压提供滤波、但不绕过功率 FET Q9/Q8的输入电压。 由于只有 C202和 C203绕过 Q9漏极至 Q8源极、我们可以看到 FET 和陶瓷旁路电容器的 VIN 节点处出现振铃。 我计算出输入电容器上的输入 RMS 纹波电流约为4.3A、这一数值远仅为1个10uF 输入电容器、但作为一个实验来查看这是否是问题、您能否尝试移除 C202并将其焊接到 C203之上、 然后在 C202所在的位置安装一个10nF 0402电容器、并将其尽可能靠近 Q9的漏极和 Q8的源极进行移位、以查看这是否会降低 VIN 上的脉冲负载电流产生的噪声?
高频辐射噪声的另一个可能来源是5V 输入走线。 在 C202/C203输入电容器附近、是否有任何更高的 ESR 旁路电容器、例如大容量电解电容器、从5V 到 GND? 是否有与5V 输入串联的铁氧体磁珠? 这些电路元件有助于控制转换器附近的高频噪声、从而限制其天线区域将该噪声辐射到周围区域。
这听起来很不错。 让我知道测试是如何进行的。
PCB 背面是否留有空间、可在 Q9漏极和 Q8源极的 VIN 和 GND 过孔之间放置一个电容器。
另一种可能是通过将 C203从10uF 更改为22uF 来分离两个输入电容器 C202和 C203的自谐振频率、并将 C202从10uF 更改为4.7uF。 通过分离自谐振频率、它们有助于抑制和抑制每个器件产生的噪声。 如果有空间在 PCS 的两侧放置电容器、最好将2.2-10nF 电容器放置在最靠近 FET 的位置、 4.7uF 与 PCB 背面10uF 或22uF 的电容相距较近、因此频率最高的电容与功率 FET 的电感最小。