[参考译文] BQ77915：选择晶体管。

您好、Hojung、

我注意到原理图中有几个项目：

• AVDD 电容显示为1nF、建议在数据表中使用1uF 电容。
• 数据表在很大程度上为用户保留了 PRES 连接。  在电路原理图 RHIB 用于 CFG 引脚路径中、它可能用于将 PRES 连接到电池、或连接到已过滤的 VDD。  CFG 引脚通常在需要时直接连接到 AVDD。
• rts_pu 显示为1k、通常为10k。  您可以调整该值以调整器件以其比值跳闸的温度、但1k 似乎是极端的。

对于 FET、可能会选择 FET 的热属性而不是电流。  许多电池都是自包含电池、散热可能极少、在这种情况下、您可能需要低 RDSON 电阻、以便电池内部的热量非常小。  在保护开关期间、您可能希望 FET 中的过载处理热量。  如果您有良好的散热器可用、则可以使用成本更低、裕度更小的 FET。  您通常需要一个 Vgs 限值为+/- 20V 的 FET、Vds 限值可能为电池电压的150%至200%、具体取决于您是否希望 FET 抑制瞬态。  如果您正在设计最大电压为14V 的电池、您可能会选择25V 或30V FET。  因此、这不是我想要给出的简单答案、但有许多注意事项、您需要根据对您的设计最重要的内容进行选择。

请务必查看 CHG 驱动电路数据表中的第10.1.1.2节。  对于14V 电压、您应该能够使用您绘制的电路。  如果 DSG 关断且 PACK-在 CHG 为低电平时被拉至 PACK+、则 FET 应该是安全的、但应考虑您的电池组是否会发生瞬变、这可能需要额外考虑。

您好、Hojung、

建议的 FET 或原理图中的 FET 都应该可以、请考虑发热问题。

通常、只有当充电器电压非常大时、CHG 才需要 P 通道。  如果需要、您可以使用更高电压的信号 FET。

M4面临的风险是、如果 DSG 和 CHG 在 BATT 关闭时上升到高电压、则 M4的栅极可能会承受应力。

您好、Hojung、

是的、如果没有 M4、它可以在关闭时通过 M3的体二极管充电、但 BQ77915将检测到适度的充电电流并开启 M3。  但是、M4通常被视为 BMS 中的一项重要功能、因为它可以在 BQ77915确定电池电压过高时防止充电电流。 当然、您的系统可能具有其他功能、以防止电池过度充电。