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[参考译文] LM338:连续500mA 输出2小时后 IC 断开

Guru**** 2510875 points


请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/900641/lm338-ic-is-broken-after-continuous-500ma-output-for-2-hours

器件型号:LM338

您好!

我正在为我的个人业余项目构建一个简单的电池充电器。 该电路基于数据表中的参考设计、输入电压为15V (最初为14V、但后来我对其进行了更改)、输出电压为13.5V、如下所示。 我的目的是用5A 的持续充电电流为小型汽车电池充电。 我已经将 IC 与一个无故障散热器和一个120mm 冷却风扇一起放置、以减少功率损耗。

电路构建后、工作正常。 输出稳定在13.5V。 然后、我测试了它为容量为7Ah 的旧摩托车12V 电池充电、它汲取了0.5A 电流、尽管有一些波动、介于0.5A 至1.1A 之间。 我让它充电大约2小时、看看它是否真的起作用。

充电2小时后、我将其关闭并让其休息几个小时。 之后、当我再次尝试以更好的负载对其进行测试时、输出卡在14.7V。 TrimPOT 不会执行任何操作来设置输出电压。 此外、当我检查输出和调节引脚之间的电压时、电压为0.5V、远低于数据表所示的预期1.25V。 我假设 IC 现在已损坏。 我不理解 IC 是如何损坏的、因为整个2小时测试中、IC 只会变得有点热。 我是否可以获得一些假冒产品?

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好 Feryanlie、

    这种5A 器件在仅为0.5-1.1A 时会出现问题、这似乎很奇怪。 您还确定了电流波动的原因吗? 如果我希望它开始高电平(当电池电量低时)、然后随着电池电压的增加而降低。 波动的电流使我认为 LDO 不稳定,或者输入电源无法提供足够的电流,并且输入电源正在崩溃和恢复。  

    什么提供15V 输入电压? 输入电压是否可能瞬间下降,导致 Vout>Vin+0.3V? 如果是、这将违反数据表中列出的绝对最大电压、并可能损坏 LDO、从而导致您看到的行为。  

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    您好、Kyle、感谢您的回答。

    15V 输入电压当前来自工作台电源。 它设置为最大2A 和15V。 稍后、在完成此测试后、我将使用来自变压器的整流直流电。

    [报价用户="Kyle Van Renterghem"]您还确定了电流波动的原因吗?

    我认为是由电池故障引起的。 我尝试直接从工作台电源为电池充电、它也在波动。 它将以200mA 至高达1A 的电流随机充电。  

    [引用 user="Kyle Van Renterghem"]输入电压可能会瞬间下降,导致 Vout>Vin+0.3V?[/quot]

    现在您提到了、这非常有趣。 在阅读数据表时、我没有对其进行任何注意、但不应该放置一个阻断肖特基二极管就足够了?

    o 是的、我忘记上传原理图。 这是我的原理图。

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    没关系,现在我还记得了。 在第二次测试中、我在接通工作台电源之前意外地将输出引线连接到12V 电池、当时我尚未焊接阻塞二极管保护。 时间长达3-5秒、但可能足以损坏 IC。 感谢你的帮助。

    BTW、阻断二极管足以防止这种事故发生、对吧?

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    是的、听起来这可能是问题、就 IC 而言、一两秒本质上是直流条件。 当 VOUT>Vin+0.3V 时、有一个内部二极管会正向偏置、在您的情况下、这种情况可能会在数百毫秒内过热。

    不过、您是正确的、原理图中所示的并联二极管将在再次发生这种情况时保护 LDO。

    最后、请注意术语、通常指的是阻塞二极管、它意味着与正常电流路径串联的二极管。 该拓扑实际上阻止了反向电流的发生。 原理图中所示的拓扑使用并联二极管将电流从 Vout 分流到 Vin。 如果 Vin 节点为低阻抗、则会消耗电池电量。 如果在为 Vin 供电以停止此类放电事件之前连接了电池、则您的用例可能会受益于真正的阻断二极管拓扑。

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    实际上、我指的是串联的二极管、即我尚未焊接的 D3二极管。 在我进行第二次测试之前、D1分流二极管已经焊接好。 那么、当 Vout 超过 Vin 时、D1二极管至少不应保护 IC? 如果是真的、可能我有一个不能保护 IC 的故障二极管。

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    您好 Feryanlie、

    很抱歉、我昨天晚上在手机上看了原理图、没有注意到 D3是串联的。

    像 D1一样并联放置的二极管应保护器件、但是当我谷歌搜索原理图中显示的器件型号时、它显示的正向电压为1V、并且在 LDO 的内部二极管导通之前可能无法导通。 对于并联保护拓扑、我们通常建议使用肖特基二极管、该二极管的正向电压为300mV-400mV、并且足够低、外部二极管会分流绝大多数电流、从而保护 LDO。  

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    啊、这能解决一切问题。 我非常感谢你的帮助。