[参考译文] CSD95472Q5MC：CSD95472Q5MC /PS 参数注意事项/ VSW 至 PGND/封装

米京东  

感谢您发帖。 请参阅下面的我的答案。  

1) 1)您真正需要考虑的是功率损耗。 我们不知道您的热环境、因此我们不知道您能够通过5x6 QFN 耗散的功率大小。 如果您知道功率级的特定 RthJA 以及它们将运行的最大 Ta、则可以计算每个功率级可承受的功率耗散、并且可以相应地选择正确的功率级。  

在选择功率级时、请务必使用实际系统功率损耗、而不是数据表电流额定值、因为对于电流额定值、供应商没有为功率级评级的标准。 有些更激进、有些更保守。  

2) 2)我们提供直流限制和交流限制。 直流限制要求 FET 的漏源电压不超过20V。 但是、还有一个交流限制意味着、只要它是非重复事件、FET 就可以在超过其击穿电压时吸收一些雪崩能量。 超出直流限制不会导致立即发生故障、但重复性事件会影响器件的长期可靠性。  

您的系统设计必须确保20V VSW 限制控制在20V 以下。  

3) 3)"Q5MC"只是一个封装后缀、用于指定此特定的5x6 QFN 封装。 我们有多个5x6 QFN、每个封装都是唯一的。  

据您所知、Q5MC 和 QVM (4x5)表示 TI 专有封装、其热性能优于通用封装。 RWJ 是行业通用尺寸的5x6 QFN 封装之一、而 RWX 是行业通用尺寸的4x5 QFN 封装。  

我假设您询问的是结至顶部热阻抗。  

CSD95490Q5MC 的结至顶部热阻抗为5.8摄氏度/瓦 它仍然是一种热增强型封装、具有薄型封装、可将顶部高侧裸片靠近封装顶部、从而最大限度降低通过顶部的热阻。