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[参考译文] UCC27211：高频输出问题

admin
Guru**** 2782485 points

Other Parts Discussed in Thread: UCC27211, UCC27282, LMG1205, LMG1210, LM5113

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/873149/ucc27211-high-frequency-output-problem

器件型号：UCC27211
主题中讨论的其他器件： UCC27282、 LMG1205、 LMG1210、 LM5113

你(们)好 我叫 Jung kyoung su。

半桥电路采用 ucc27211设计。 但在高频输入(10MHz)时存在输出问题。

当输入 引脚 HI 和 LI 的频率为1M 时、驱动器输出引脚 HO 和 LO 正常。 (高侧 和低侧死区时间= 50ns)
1MHz ~ 8MHz 频率=>输出正常 (50ns 的死区时间)
*应用10MHz 频率时、输出行为异常。 您是否无法支持10MHz？
*内径设置 HB 电容= 0.1uF 连接的 HS 引脚

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    TI__Guru**** 2782485 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    你好，Jung Kyoung su。

    10MHz 是相当高的工作频率、这将导致较窄的脉冲宽度。 驱动器的输入脉冲响应是有关高频运行的主要考虑因素。

    您提到50ns 死区时间、但10MHz 的周期为100ns。 因此、不清楚 HI 和 LI 输入的输入脉冲宽度是多少。

    您能否提供 LI 和 HI 输入脉冲宽度以及栅极驱动器正在驱动的功率器件？

    此外、如果您可以提供示波器图和所针对10MHz 频率下的行为说明、以便我提供更好的建议。

    我建议您考虑 UCC27282驱动器、它与 UCC27211相比具有更长的时序、包括窄脉冲响应。

    此致、

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    TI__Guru**** 2782485 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    你(们)好 Richard Herring

    感谢你的答复。


    您提到50ns 死区时间、但10MHz 的周期为100ns。 因此、不清楚 HI 和 LI 输入的输入脉冲宽度是多少。

     =>我犯了个错误。 在10MHz 运行模式下、HI.LI 输入引脚的脉宽运行 20ns、从而在高侧和低侧之间提供死区时间。 (死区时间= 30ns)

    2.能否提供 LI 和 HI 输入脉冲宽度以及栅极驱动器驱动的功率器件？

    =>我设置 HI：20ns、LI：20ns/VDD：12V

    我建议您考虑 UCC27282 驱动 器、它与 UCC27211相比具有更好的时序、包括窄脉冲响应。

    =>通过 UCC27282测试、10MHz 输出正常、但即使在驱动器 IC 运行大约3秒时、表面温度也接近130°C。

    =>与 UCC27282驱动器不同、UCC27211驱动器不能正确输出。

    => UCC27282已经使用 EVM 套件进行了测试。

    =>还有其他方法吗？

    谢谢你。

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    TI__Guru**** 2782485 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 KYoung Su Jung：

    感谢您的更新。 对于 UCC27282、请确认器件电源板被连接至一个 PCB 电源板连接、此连接具有到一个较大平面的散热过孔以帮助功率耗散。 这将显著降低热阻。 如果器件连接到大型电源板、但仍存在温度问题、则还有其他 TI 驱动器专用于高频运行。

    LM5113、LMG1205和 LMG1210是面向增强模式 GaN 的半桥驱动器、可驱动 MOSFET、但 VDD 范围较低。 这些电压应与支持5V Vgs 的 MOSFET 兼容。

    LMG1210适用于频率高达50MHz 的应用、其他2个器件在某些曲线中显示的特性高达5MHz。

    您应该为您的应用考虑这些高频驱动器。

    还要确认功率器件为低栅极电荷、并根据 PD=Qg x VDD x Fsw 确定栅极驱动功率损耗。 Qg 是高侧和低侧 MOSFET 或电源开关的总栅极电荷。

    数据表可在此处找到：

     http://www.ti.com/lit/ds/symlink/lm5113.pdf

    http://www.ti.com/lit/ds/symlink/lmg1205.pdf

    http://www.ti.com/lit/ds/symlink/lmg1210.pdf

    此致、