我们使用的设备如下~~
Tektronix P5205A-2高压差分探头100MHz 50X 带宽无限制
示波器:Tektronix DPO5104B 1GHz 数字4通道 带宽:1GHz
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虽然这不会造成损坏、但始终建议将器件保持在其列出的最大数据表内。
是的、您可以使用 SW 而非 PGND 节点的缓冲器。 我建议从一个1nF 缓冲器和一个1 Ω 电阻器开始、然后在那里工作。 缓冲器的布局对于保持环路电感尽可能短至关重要、以便缓冲器在发生此振铃的~120MHz 下有效。
SW 节点和 PGND 之间的小型超快速整流器二极管可能会反应足够快、从而分流部分电流并降低负峰值、 但我不建议使用 TVS 二极管、因为 TVS 二极管的反应速度不可能足够快、无法提供大量峰值抑制
您还可以尝试将 C29从100nF 更改为10nF。 这些采用0402封装的较小电容器值可提供较低的 ESL 和抑制较高频率噪声的能力。 当有导孔可用于将 VIN 和散热焊盘连接到 PBC 的背面时、我们看到了显著的 SW 振铃改进、将一个2.2nF - 10nF 0402电容器从 VIN 连接到 GND。 通过从主电源路径提供单独的并行路径、这有助于降低旁路的电感和高频性能。
您可以添加一个与自举电容器(原理图中的 C311)串联的高达4.7 Ω 的电阻器、以降低高侧 FET 的导通速度、并减少 SW 节点上升沿上的过冲振铃、 但高侧 FET 的关断不会驱动电流流经 BOOT 引脚、因此对关断速度的影响极小。 使用外部 FET 控制器、添加与栅极驱动信号串联的电阻有助于降低关断速率、但使用内部驱动器和 FET 时、无法访问 FET 关断驱动器路径。
您可以尝试将 D25替换为高速整流器二极管或 R-C 缓冲器、以减少开关节点下降沿的负峰值。