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器件型号：LM5050-1 主题中讨论的其他器件：TPS2493
LM5050数据表显示、如果可能、它旨在将 MOSFET 两端的电压调节到22mV。 否则、它将使栅极电压饱和至大约12V。
当使用低 RDS MOSFET (1m Ω)时、当电流小于22A 时、LM5050似乎会将 MOSFET VDS 保持在22mV、如果栅极更难驱动、则 MOSFET 可以实现更低的 VDS。 当标称电流为10A (RDS = 1m Ω)时、强制 VDs=22mV 会产生大约0.22W 的功率耗散、如果栅极驱动足够硬、则在0.1W 时可能会低。
在此处显示的示例电路(TPS2493后跟 LM5050)中、将 LM5050的"IN"引脚的连接直接移至源极电压有任何缺点、 因此、1m Ω 感应电阻器和热插拔 MOSFET 上的压降组合为 LM5050尝试伺服的22mV？
感谢您的任何见解、
将会
