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[参考译文] UCC24612:低导通电阻 FET 故障

Guru**** 2386620 points
Other Parts Discussed in Thread: UCC24612
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/890915/ucc24612-malfunction-with-low-on-resistance-fet

器件型号:UCC24612

各位专家:

我们正在设计采用 UCC24612的稳压器板。 然后、我们会遇到导通问题。  它无法与 TK30A06N1配合使用。 检查 UCC24612-1 EVA 评估板、它使用的导通电阻为19m Ω FET、而我们的 TK30A06N1具有12m Ω 导通电阻。 在我们的试验中、将 FET 更改为更高的导通电阻、效果很好。 导通电阻是否存在任何限制? 如果是,是否有任何建议? 我们需要技术原因。

此致、

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    您好、User5151135、

    感谢您关注 UCC24612 SR 控制器。

    数据表第24页 第8.2.2.1节提供了有关 MOSFET 选择的一些指导。  最佳 RDS (on)值取决于特定应用、而不仅仅是 EVM 的用途。  

    原因是该控制器尝试将 VDS 调节至约-50mV、并在 VDS 变为小于-9mV 时感应为关闭 SR FET 的条件。  如果 RDS (ON)过低、则会提前感测到这种情况、即使在高电流时也是如此、并且 SR 将很快关闭。  

    此致、

    Ulrich

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    您好 Ulrich、

    感谢您的快速响应。 我明白了。

    谢谢。

    TerryU