Other Parts Discussed in Thread: TPS65910
你(们)好。
AM335x 的上电和断电时序特性是什么?
以下文档不包含时序特性。
适用于 AM335x 处理器的 TPS65910Ax 用户指南
图3. 上电和断电时序图
谢谢你。
此致。
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请参阅 《适用于 AM335x 处理器的 TPS65910Ax 用户指南》(修订版 F) 、表2。 第 5页上 TPS65910Ax 的 EEPROM 配置、另请参阅 TPS65910数据表。 对于较新的器件、寄存器映射定义作为技术参考手册(TRM)发布、以了解器件的独特编程变体、所有变体共享一个数据表。 TPS65910的用户指南/数据表关系类似。
《用户指南》中的图3是表2中所列顺序的直观表示。 在表2中、每个输出轨(LDO 或 DCDC)都有一个称为"时隙"的行、在 "所选选项"列中有一个整数值。
从 TPS65910数据表中、时隙之间的每个延迟被称为 tdsONx、其中 tdsON1是时隙0 (上电事件)和时隙1之间的延迟、tdsON2是时隙1和时隙2之间的延迟、以此类推。 延迟被指定为 tdsON1 = 66×tCK32k = 2.06ms、 tdsON2-8 = 64us×tCK32k = 2ms。
Taishi、
[引用 USER="Taishi Ando]1.如果 TSLOT_LENGTH 为2ms、最大值和最小值是多少?[/引用] TSLOT_LENGTH 的时序来自32kHz 振荡器(64 * tCK32k = 2ms)、因此有3种可能的结果:旁路时钟、晶体振荡器或内部 RC 振荡器。
[引用 user="Taishi Ando"] 2.每个电源的压摆率是多少?
在 TPS65910 µs 表中、有关以下输出、请参阅"t ON、OFF 至 ON"规范:VIO SMPS、VDD1 SMPS 和 VDD2 SMPS (350 μ A)、
µs 下列输出、请参阅"开通时间"规格:VTC LDO (2.2ms)、VDD3 SMPS (200 μ s)、 VDIG1/2、VAUX33、VMMC、VAUX1/2、 VDAC 和 VPLL LDO (100 µs)。
和 µs VDD1和 VDD2寄存器(地址0x21、0x24和)中的 TSTEP 值,默认值= 7.5mV/μ s,用于动态电压调节(DVS)期间输出电压变化的压摆率。
[引用 user="Taishi Ando]3.每个 序列的上升条件是什么?
时间(TSLOT_LENGTH)? 上一序列的电压?
序列发生器不依赖于之前电源的输出电压。 我将使用 《适用于 AM335x 处理器的 TPS65910Ax 用户指南》(修订版 F)中的图3 作为参考
VDAC 在时隙1上打开、然后 VDIG1/2在时隙2上打开、 并且 tdSON2时间可从 VDAC 开始打开到 VDIG1/2开始打开。 这将是2msp+/-_%、具体取决于使用哪一个32kHz 时钟作为基准。
时间不会是 VDAC 的 tdson2 +开通时间。
因此,从 VDAC 开始打开到 VDD2开始打开的时间将是(2ms +/-__%)*6个时隙=12ms +/-_%
未为 PMIC 定义外部旁路时钟的稳定/稳定时间。
TPS65910数据表中的第5.11节32kHz RTC 时钟(第18页)显示如下:
请参阅 TPS65910数据表中的第52页:
"从32kHz RC 振荡器切换到32kHz 晶体振荡器或外部方波32kHz 时钟也可以通过 DEVCTRL_REG 寄存器进行编程、从而利用内部 RC 振荡器更短的导通时间"
预期用例是使用内部 RC 振荡器启动以缩短系统的导通时间、然后在外部时钟输入稳定后切换到外部晶振或旁路时钟。