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器件型号：CSD19535KTT 大家好、
我们的客户报告 了其中一个 CSD19535KTT IC
我们观察到 VDS 泄漏电流会随着时间的推移而增大、对此我们有何评论吗？
VGS：200k Ω
VDS：28.8V
监测 VDS 电流：
测试是在室温下进行的、两小时后 VDS 泄漏电流似乎增大
尽管它仍在规格范围内、但 这种行为不会在 CSD19535KTT IC 的其他电池上发生
我们可以查看您对此的评论吗？ 是否需要进行 FA 分析？
独立 MOS 泄漏测试、室温下、这里是 VDS 泄漏测量
