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https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/872212/iso5852s-protection-of-the-gate-driver-ic-during-over-loading
尊敬的先生：
我们将 ISO5852S 用于我们的逆变器栅极驱动器。 我们的电路如下所示。
当 IGBT 发生故障(禁用去饱和)时、栅极-发射极损坏。 1SMB5931BT3G 损坏。
它还会损坏 ISO5852S 驱动器。 引脚编号1、5、6和7之间发生短路。
是否可以在栅极-发射极短路情况下保护 ISO5852S？
谢谢你。
谢谢、此致、
Rajasekaran。
您好 Rajasekaran、
消隐电容器(GATE _RT_RTN)的 GND2基准看起来与 GND2端子(RT_0V)不同。 这两者应该是相同的参考点。 您的 GER_RT_RTN 点可能是悬空的。 GATE RT_RTN 是否连接到了原理图中的 RT_0V？
此致、
Audrey
消隐电容器和 GND2 端子的 GND2基准在原理图中使用网标签(RT0V)进行连接。
我们仍然面临这个问题。 请告诉我们在过载情况下保护 IC 的可能解决方案。
感谢您指出、我没有看到网络参考。
Q4的状态是什么？ 是否也损坏了？ 是否有其他损坏的组件、您是否使用电路板上的连续性测试测试驱动程序、或者是否移除了芯片？
我建议使用具有更高峰值脉冲功率额定值 的不同保护二极管、例如 SMAJ 系列 TVS 二极管代替 D23/D24。 IC 中有来自 OUTH/OUTL 的内部钳位二极管、并钳位到 VCC2以将栅极保持在略高于电源电压的位置、从而在短路期间保护 IGBT 栅极。
此外、由于您使用的是 BJT 缓冲器 、因此您必须在 OUTL 到 VEE2之间包含一个电阻器/电容器、如本参考设计中用于驱动并联 IGBT 的第2.1.7节所示。 否则、在关断 IGBT 时会出现非常大的瞬态、这将导致高 di/dt 和 VCE 过冲、因为您不会通过 Q4实现软关断。
您好！
Q4未损坏。 只有 D23和 D24损坏。
我们从电路板上移除了芯片并进行了测试。 针脚 1、5、6和7显示导通性。
我们将尝试使用外部电容器和电阻器进行软关断。 我们还将尝试使用 TVS 二极管。
谢谢你。 谢谢、此致、 Rajasekaran。
您好，
我们是否有任何公式可以计算软关断的电阻器和电容器值？
请参阅此 E2E 帖子 、其中包含讨论此功能的 TI 培训链接。
