[参考译文] LM5121-Q1：具有外部栅极驱动器的 LM5121升压转换器

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器件型号：LM5121-Q1
主题中讨论的其他器件：LM5121、 LM5114

您好！

我计划使用 LM5121将输入(18V 至50V)转换为55V @ 8A 输出。

为了降低开关 FET 损耗、我选择了 GaN FET (GS61008)。

它需要一个栅极驱动器、因为它的 Vgs 不应超过7V。

如果我使用外部隔离式栅极驱动器、IC 的 SW 引脚将接地。

由于它是自适应死区时间控制、它是否会影响电路功能而不是增加死区时间？

等待您的回复。

此致、

Selvam。

0 admin 5 年多前

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您好、Selvam、

对于 LM5121的运行、我不建议将 SW 引脚接地、因为自适应死区时间方法需要使用 SW 引脚才能正常工作。如果没有 SW 引脚、恐怕该器件无法正常工作。一

在这种情况下、您仍然可以使用5121、但您可以通过将 SW 引脚接地来实现非同步配置、并通过10K 电阻器将 HO 和 BST 连接到 GND、而不是同时使用两个 FET。之后、您可以使用 LM5114驱动器来驱动 GaN FET。

由于二极管损耗、即使使用 GaN FET、非同步方案也可能提供较低的效率。在本例中、我建议改用常规 MOSFET。

谢谢、

Richard

0 admin 5 年多前

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您好 Richard、

感谢你的答复。

我将为 HS FET 使用 MOSFET、并进行同步整流。对于 LS (开关 FET)、我将使用具有 LS 驱动器的 GaN FET。

上述电路是否正常工作？

由于转换器没有 UVLO、如果我提供的输入电压大于输出电压、会发生什么情况？

转换器是否在没有调节的情况下工作、即输入电压之后的输出电压。

此致、

Selvam。

0 admin 5 年多前

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您好、Selvam、

请参阅以下我的回答：

1) 1)理论上似乎可以使用 LM5114驱动 LS GaN FET、并使用 LM5121高侧驱动器驱动高侧 FET。您将需要构建一个原型来检查自适应死区时间。如果我是您、我还会构建一个将 LO FET 用作 MOSFET 的变体、以确保安全。

2) 2) LM5121具有线路 UVLO 功能。您可能会询问有关旁路操作的问题。在旁路模式下，高侧 FET 将100%导通，输出将跟踪输入。为了使旁路模式正常工作、您需要最低9V 的升压输出电压。请参阅 LM5121数据表中的第7.3.9节和第7.3.10节。

谢谢、

Richard

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