主题中讨论的其他器件: LM36010、 TPS630242、 TPS63802
大家好、
我们正在设计摄像头。 同样、我们还使用闪存 LED、DUT 的工作温度为-40°C 至+85°C 我们已经研究了两种不同类型的电源架构、如下所示:
我们有疑问-
1) 1)哪种架构更适合我们的设计?
2) 2)闪存 LED 将在250ms 的最长时间内打开。 当闪存 LED 将被打开时、它将需要一个高浪涌电流。 为了提供相同的电容、我们计划提供大容量电容。 请告诉我们如何计算相同值。
3) 3)在电源架构1中、我们是否需要在闪存 LED 驱动器(TPS61050)处使用电感器、因为 LED 的最大正向电压为4.0V、输入电压为4.2V? 因此、无需提升输出电压。
4) 4)大容量电容器在开启闪存 LED 时的最佳位置是什么(靠近闪存驱动器 IC 或靠近升压/降压-升压)、以减轻浪涌的影响?
5) 5)如果您有更适合我们设计的更好器件(升压、降压/升压和 LDO)、请提出建议。