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[参考译文] TPS61050:计算大容量电容器以减轻浪涌电流的影响

Guru**** 1142300 points
Other Parts Discussed in Thread: TPS61050, LM36010, TPS630242, TPS63802
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/889075/tps61050-calculation-of-bulk-capacitor-to-mitigate-the-effect-of-inrush-current

器件型号:TPS61050
主题中讨论的其他器件: LM36010TPS630242TPS63802

大家好、

我们正在设计摄像头。 同样、我们还使用闪存 LED、DUT 的工作温度为-40°C 至+85°C 我们已经研究了两种不同类型的电源架构、如下所示:

我们有疑问-

1) 1)哪种架构更适合我们的设计?

2) 2)闪存 LED 将在250ms 的最长时间内打开。 当闪存 LED 将被打开时、它将需要一个高浪涌电流。 为了提供相同的电容、我们计划提供大容量电容。 请告诉我们如何计算相同值。

3) 3)在电源架构1中、我们是否需要在闪存 LED 驱动器(TPS61050)处使用电感器、因为 LED 的最大正向电压为4.0V、输入电压为4.2V?  因此、无需提升输出电压。

4) 4)大容量电容器在开启闪存 LED 时的最佳位置是什么(靠近闪存驱动器 IC 或靠近升压/降压-升压)、以减轻浪涌的影响?

5) 5)如果您有更适合我们设计的更好器件(升压、降压/升压和 LDO)、请提出建议。

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    您好、Kumar、

      对于此应用、我建议使用 LM36010、该器件可在直通模式或 LDO 模式下工作、因此无需更多地考虑电源轨。

    BR

    肖恩

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    您好 Sean、

    感谢您的建议、但由于设计限制、我们无法使用 BGA 封装。 如果您可以推荐采用其他封装(QFN 或 SON 等)的任何其他闪存驱动器 IC、请向我们推荐。

    此外,我们想就我们提出的其他问题发表意见。

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    您好、先生、

      1.我更喜欢电源架构2. 由于对于电源架构1、4.2V 电源可能不足以驱动、因为存在余量电压;

      2.对于大容量电容器,这取决于降压/升压器件的瞬态响应能力,您只需使用 C*deltaV=I*deltaT 即可

    BR

    肖恩

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    您好 Sean、

    好的、我们将使用第二个电源架构。

    对于大容量电容器计算-我们尝试使用您建议的公式(C*deltaV=I*deltaT)。

    假设我们不希望 deltaV 大于0.2V、并且 LED 闪光灯电流为1.2A。

    我还检查了降压/升压(TPS630242)的负载响应、根据数据表、最大变化是输出电压为0.2V、负载电流阶跃变化为1.5A。

    输出的恢复时间接近100us。

    那么、我是否应该将 deltaT 设置为100us 并且 i= 1.2A?

    此外、根据我们的理解、大容量电容器应放置在闪存驱动器 IC 附近。 请告诉我们这是否正确、或者我们需要将大容量电容器放置在其他位置。

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    您好 Sean、

    上述回复中有一个拼写错误、即我们使用的是 TPS63802而非 TPS630242。 请考虑 TPS63802、建议 deltaT 和浪涌电流值。

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    您好、Aditya、

      对于大容量电容、是的、T 为100us、对于 I、由于 VN=3.3V、Vout=4V 和 Iout=1.2A、因此平均输入电流应使用 Iin_avg=4*1.2/3.3=1.45A。

      因此、对于 deltaV、我认为应该小于(3.3V-2.4V)=0.9V、因为2.4V 将导致 TPS61050的 UVLO。  

      现在您可以使用1.45A*100us=C*0.9V 来计算 Cbulk 的电容。 增加一些裕度会更好。

      是的、大容量电容器应尽可能靠近 TPS61050。

    BR

    肖恩