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器件型号：LMG1205 我将使用 GaN 晶体管驱动半桥、并在某些开关事件中观察 LMG1205的 HS 引脚和 VSS 引脚之间的负瞬态。 基本上、在高电流下、可以观察到下冲电压。 根据 GaN 晶体管的速度和电感负载、可以仿真该行为、并可预期该行为。
该负峰值可在< 1ns 的时间内达到-13V、并且确实超出了 LMG1205数据表中规定的最大绝对额定值- 5V。
尽管系统在各种电压、电流和温度点均能正常工作、但您能否回答我们的问题：
- LM1205能否在短时间内承受 HS 和 VSS 之间的-13V 峰值？
- 在这种情况下、器件是否可以闩锁？
- 对于这些瞬变、哪种故障模式？
- 这是否会给 LM1205带来长期可靠性问题？
- 除了布局改进和修改 Rgate 以更改 dv/dt 之外、您还会建议 di/dt 进行其他改进吗？ 例如添加一些肖特基？ RC 缓冲器？
示波器捕获：
(可以在右侧看到布线说明、每个信号的刻度不同、请参阅颜色)
注意：使用高带宽示波器、校准探针以及尽可能低的探针和测量电感进行测量。 此外、布局遵循应用指南、测得的电感环路小于1nH、包括电流感应电阻器。
