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[参考译文] TPS65132：ENP 和 ENN 下拉为低电平会导致寄存器复位为 NVM

admin
Guru**** 2511985 points


请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/888255/tps65132-enp-and-enn-pull-low-cause-registers-reset-to-nvm

器件型号：TPS65132

大家好、

我的客户说、他们最初将 VOUT 设置为5.5V 过孔寄存 器、但当他们将 ENP 和 ENN 拉至0时。 然后再次将其拉至1、VOUT 复位至5V。 客户有两个问题：

如何将寄存器的值重置为动态默认值？

2.如果 EN 周期复位寄存器的值？

－文豪

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    TI__Guru**** 2511985 points
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    您好、Wenhao、

    感谢您的提问。 让我联系该部件的专家。 您可能会在3/16/20之前收到响应。

    最棒的

    授予

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    TI__Guru**** 2511985 points
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    尊敬的 Grant：

    是否有此问题的更新？

    －文豪

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    TI__Guru**** 2511985 points
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    您好、Wenhao、

    它看起来好像线程分配没有完成。 抱歉。 我将验证专家是否知道您的问题。

    最棒的

    授予

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    TI__Guru**** 2511985 points
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    您好、Wenhao、

    当 ENN 和 ENP 均为低电平时、器件复位为 EEPROM 中存储的默认设置。 客户可以将特定应用所需的值存储到 EEPROM 中、方法是先将寄存器内容更新为所需的值、然后将 Wed (写入 EEPROM 数据)位设置为1。 我在下面复制数据表中的相关摘录。

    ===========

    写入说明：用户必须首先对所有寄存器进行编程(0×00至0×03)、然后将 Wed (写入 EEPROM 数据)位设置为1。 然后启动50ms 的死区时间、在此期间寄存器内容或所有寄存器(0×00 ~ 0×03)存储到非易失性 EEPROM 单元中。 在此期间、不应有数据流过 I 2C、因为 I 2C 接口暂时没有响应。 50ms 过后、Wed 位自动复位为0、用户能够读取这些值或重新编程。

    ====

    此致、

    辽卡特